NV-SRAM 與存儲器控制器的典型連接從功能角度來講，在正常工作條件下的 NV-SRAM 讀 / 寫操作與獨立 SRAM 完全相同。使用并行 I/O 結(jié)構(gòu)，用戶可以方便地存儲數(shù)據(jù)或從地址位設(shè)置所定義的存儲器位置上提取數(shù)據(jù)。子序列存儲器周期可以位于這個位置或其他位置上，發(fā)生的順序是任意的，寫周期次數(shù)不受限制，并且不需要任何額外的支持微處理器接口的電路。

當(dāng) VCC 下降到低于閾值（VSWITCH）時，賽普拉斯的 NV-SRAM 會進(jìn)入自動存儲模式，并且通過將 DQ 總線上拉到高阻抗?fàn)顟B(tài)并忽略在該器件的地址和控制線上所發(fā)生的所有轉(zhuǎn)換，禁止器件上發(fā)生的所有讀 / 寫操作。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:700 V Id-連續(xù)漏極電流:8.5 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:600 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 16 V, + 16 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:10.5 nC 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:24.9 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:CoolMOS 封裝:Tube 配置:Single 高度:16.15 mm 長度:10.65 mm 系列:CoolMOS P7 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.85 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時間:23 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:5.5 ns 工廠包裝數(shù)量:500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:63 ns 典型接通延遲時間:14 ns 零件號別名:IPA70R600P7S SP001499700 單位重量:1 g

三種功率管理IC，提供系統(tǒng)和內(nèi)核兩種輸出電壓，有助于延長電池壽命。TPS61130是業(yè)界第一個集成了同步SEPIC升壓或降壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器和LDO調(diào)整器在一起，TPS61100/20集成了同步升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器和LDO線性調(diào)整器。該器件轉(zhuǎn)換效率高達(dá)95%，靜態(tài)電流典型值為65uA.設(shè)計用于NiCd或NiMH電池，TSP61100集成轉(zhuǎn)換器，其電壓為1.5-5.5V，LDO的電壓為0.9-3.6V，輸出電流高達(dá)200mA,工作電壓低到0.8V輸出電壓咳用外接電阻來調(diào)整。

TPS61120和TPS61130集成了電壓為2.5-5.5V的轉(zhuǎn)換器和0.9-5.5V的LDO，輸出電流高達(dá)400mA,工作可低到1.8V。

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