一顆DC/DC降壓電源芯片LM2675的內(nèi)部設(shè)計原理和結(jié)構(gòu)。

LM2675-5.0的典型應(yīng)用電路：電源芯片的內(nèi)部全部單元模塊。BUCK結(jié)構(gòu)我們已經(jīng)很理解了，這個芯片的主要功能是實現(xiàn)對MOS管的驅(qū)動，并通過FB腳檢測輸出狀態(tài)來形成環(huán)路控制PWM驅(qū)動功率MOS管，實現(xiàn)穩(wěn)壓或者恒流輸出。芯片內(nèi)部的參考電壓又被稱為帶隙基準(zhǔn)電壓，因為這個電壓值和硅的帶隙電壓相近，因此被稱為帶隙基準(zhǔn)。這個值為1.2V左右，PN結(jié)的電流和電壓公式：

可以看出是指數(shù)關(guān)系，Is是反向飽和漏電流(即PN結(jié)因為少子漂移造成的漏電流)。這個電流和PN結(jié)的面積成正比，即Is->S。

制造商:EPCOS / TDK產(chǎn)品種類:共模濾波扼流圈RoHS:是系列:B82789C端接類型:SMD/SMT電感:51 uH阻抗:550 mOhms容差:- 30 %, + 50 %最大直流電流:250 mA最大直流電阻:550 mOhms自諧振頻率:-最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:1812 (4532 metric)資格:AEC-Q200封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel產(chǎn)品:Data Line Chokes商標(biāo):EPCOS / TDK產(chǎn)品類型:Common Mode Chokes工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Inductors, Chokes & Coils零件號別名:2 513H B82789C B82789C513H2單位重量:27 mg

過溫保護(hù)模塊OTP,溫度保護(hù)是為了防止芯片異常高溫?fù)p壞，原理比較簡單，利用晶體管的溫度特性然后通過比較器設(shè)置保護(hù)點(diǎn)來關(guān)斷輸出。

過流保護(hù)模塊OCP在譬如輸出短路的情況下，通過檢測輸出電流來反饋控制輸出管的狀態(tài)，可以關(guān)斷或者限流。如圖13的電流采樣，利用晶體管的電流和面積成正比來采樣，一般采樣管Q2的面積會是輸出管面積的千分之一，然后通過電壓比較器來控制MOS管的驅(qū)動。

恒流源電路可以說是所有電路的基石，帶隙基準(zhǔn)也是因此產(chǎn)生的，然后通過電流鏡來為每一個功能模塊提供電流，電流鏡就是通過晶體管的面積來設(shè)置需要的電流大小。

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