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收發(fā)器和DB-9連接器帶跳線的SCI通道的影響

發(fā)布時(shí)間:2020/12/29 19:17:17 訪問(wèn)次數(shù):183

新型電路包絡(luò)分析解算器,可加速系統(tǒng)仿真和縮短模型加載時(shí)間;SimRF還擴(kuò)展了用于系統(tǒng)級(jí) RF 前端仿真的組件庫(kù)。這些增強(qiáng)功能可幫助雷達(dá)和通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員以更好的精度和性能對(duì)日益復(fù)雜的場(chǎng)景進(jìn)行建模。

無(wú)線和雷達(dá)通訊變得日益復(fù)雜,設(shè)計(jì)人員需要了解 RF 設(shè)備和信號(hào)處理算法之間的交互以及它們對(duì)整體系統(tǒng)行為的影響。通過(guò) MATLAB 和 Simulink 中的這些這些新增功能,系統(tǒng)設(shè)計(jì)師們可以避免去使用和維護(hù)很多不同的工具和舊的代碼庫(kù)。

特征

MPC57XXXMB主板功能

12V直流電源輸入桶式連接器(含電源)

兩個(gè)帶跳線的CAN通道啟用

帶跳線的SCI通道使能 - 收發(fā)器和DB-9連接器

一個(gè)帶跳線的LIN通道和Molex連接器

兩個(gè)帶跳線的FlexRay通道啟用

兩個(gè)通道與收發(fā)器和DB-9連接器

以太網(wǎng)PHY和RJ45連接器

四個(gè)用戶按鈕開關(guān)

四個(gè)用戶LED

用于模擬電壓發(fā)生的電位器

0.10引腳頭,用于訪問(wèn)所有I / O

具有5V和GND導(dǎo)軌的2.5“x 2.5”原型設(shè)計(jì)區(qū)域

MPC5777M-416DS適配器特性

3nm工藝的增強(qiáng)版,該工藝將被命名為“3nm Plus”,首發(fā)客戶依然是蘋果。按蘋果一年更新一代芯片的速度,屆時(shí)使用3nm Plus工藝的將是“A17”芯片。

3nm Plus工藝,從以往的升級(jí)可以推測(cè),預(yù)計(jì)將比3nm擁有更多的晶體管密度以及更低功耗。參照臺(tái)積電此前公布的3nm工藝,相比較5nm工藝,晶體管密度提升了15%,減少25~30%的功耗,并且?guī)?lái)10~15%的性能提升。

臺(tái)積電在2nm的工藝上也要領(lǐng)先于其他廠商,目前已取得了重大突破,有望在2023年進(jìn)行試產(chǎn),2024年開始量產(chǎn)。如果真的如此,不知轉(zhuǎn)投三星懷抱的高通又該作何感想。


(素材來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


新型電路包絡(luò)分析解算器,可加速系統(tǒng)仿真和縮短模型加載時(shí)間;SimRF還擴(kuò)展了用于系統(tǒng)級(jí) RF 前端仿真的組件庫(kù)。這些增強(qiáng)功能可幫助雷達(dá)和通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員以更好的精度和性能對(duì)日益復(fù)雜的場(chǎng)景進(jìn)行建模。

無(wú)線和雷達(dá)通訊變得日益復(fù)雜,設(shè)計(jì)人員需要了解 RF 設(shè)備和信號(hào)處理算法之間的交互以及它們對(duì)整體系統(tǒng)行為的影響。通過(guò) MATLAB 和 Simulink 中的這些這些新增功能,系統(tǒng)設(shè)計(jì)師們可以避免去使用和維護(hù)很多不同的工具和舊的代碼庫(kù)。

特征

MPC57XXXMB主板功能

12V直流電源輸入桶式連接器(含電源)

兩個(gè)帶跳線的CAN通道啟用

帶跳線的SCI通道使能 - 收發(fā)器和DB-9連接器

一個(gè)帶跳線的LIN通道和Molex連接器

兩個(gè)帶跳線的FlexRay通道啟用

兩個(gè)通道與收發(fā)器和DB-9連接器

以太網(wǎng)PHY和RJ45連接器

四個(gè)用戶按鈕開關(guān)

四個(gè)用戶LED

用于模擬電壓發(fā)生的電位器

0.10引腳頭,用于訪問(wèn)所有I / O

具有5V和GND導(dǎo)軌的2.5“x 2.5”原型設(shè)計(jì)區(qū)域

MPC5777M-416DS適配器特性

3nm工藝的增強(qiáng)版,該工藝將被命名為“3nm Plus”,首發(fā)客戶依然是蘋果。按蘋果一年更新一代芯片的速度,屆時(shí)使用3nm Plus工藝的將是“A17”芯片。

3nm Plus工藝,從以往的升級(jí)可以推測(cè),預(yù)計(jì)將比3nm擁有更多的晶體管密度以及更低功耗。參照臺(tái)積電此前公布的3nm工藝,相比較5nm工藝,晶體管密度提升了15%,減少25~30%的功耗,并且?guī)?lái)10~15%的性能提升。

臺(tái)積電在2nm的工藝上也要領(lǐng)先于其他廠商,目前已取得了重大突破,有望在2023年進(jìn)行試產(chǎn),2024年開始量產(chǎn)。如果真的如此,不知轉(zhuǎn)投三星懷抱的高通又該作何感想。


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