100mA輸出開關(guān)調(diào)節(jié)器串行ATA 1.0的擴(kuò)展
發(fā)布時間:2021/1/2 12:50:09 訪問次數(shù):214
使用兩個低成本電容，即可以充電泵的100mA輸出取代開關(guān)調(diào)節(jié)器 ，從而減低對電感及其相關(guān)成本、器件尺寸和EMI的需要。FAN5660能將+1.5V至+5.5V的輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V至-5.5V輸出。
這種新型DC-DC轉(zhuǎn)換器還能將電源或電池的滿負(fù)載，即+5.0V輸入分壓或倍壓，在分壓模式下提供+2.25V輸出，而在倍壓模式下提供+9.5V輸出。
有內(nèi)置振蕩器電路，可以靈活選擇適當(dāng)?shù)墓ぷ黝l率。振蕩器可在高頻或低頻下工作。當(dāng)選擇較低的5kHz工作頻率時，靜態(tài)電流會降至很低，而在較高的50KHz工作頻率下可使用更小的電容器。
制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:開關(guān)控制器 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Flyback 輸出端數(shù)量:1 Output 開關(guān)頻率:300 kHz 輸出電壓:18 V 輸出電流:500 mA 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 Narrow 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 類型:Current Mode PWM Controllers 商標(biāo):ON Semiconductor 下降時間:20 ns 工作電源電壓:18 V 產(chǎn)品類型:Switching Controllers 上升時間:40 ns 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:143 mg
此次新推出的存儲組件包括－款串行ATA控制器、一款iSCSI存儲適配器和一款超低壓型英特爾®賽揚(yáng)®處理器。
英特爾®串行ATA控制器31244是業(yè)界首款提供串行ATA II存儲互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn) (正式名稱為串行ATA II：串行ATA 1.0的擴(kuò)展) 性價比優(yōu)勢的磁盤控制器。第二代英特爾® PRO/1000 T IP存儲適配器顯著提高了iSCSi存儲應(yīng)用的性能。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
使用兩個低成本電容，即可以充電泵的100mA輸出取代開關(guān)調(diào)節(jié)器 ，從而減低對電感及其相關(guān)成本、器件尺寸和EMI的需要。FAN5660能將+1.5V至+5.5V的輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V至-5.5V輸出。
這種新型DC-DC轉(zhuǎn)換器還能將電源或電池的滿負(fù)載，即+5.0V輸入分壓或倍壓，在分壓模式下提供+2.25V輸出，而在倍壓模式下提供+9.5V輸出。
有內(nèi)置振蕩器電路，可以靈活選擇適當(dāng)?shù)墓ぷ黝l率。振蕩器可在高頻或低頻下工作。當(dāng)選擇較低的5kHz工作頻率時，靜態(tài)電流會降至很低，而在較高的50KHz工作頻率下可使用更小的電容器。
制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:開關(guān)控制器 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Flyback 輸出端數(shù)量:1 Output 開關(guān)頻率:300 kHz 輸出電壓:18 V 輸出電流:500 mA 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 Narrow 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 類型:Current Mode PWM Controllers 商標(biāo):ON Semiconductor 下降時間:20 ns 工作電源電壓:18 V 產(chǎn)品類型:Switching Controllers 上升時間:40 ns 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:143 mg
此次新推出的存儲組件包括－款串行ATA控制器、一款iSCSI存儲適配器和一款超低壓型英特爾®賽揚(yáng)®處理器。
英特爾®串行ATA控制器31244是業(yè)界首款提供串行ATA II存儲互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn) (正式名稱為串行ATA II：串行ATA 1.0的擴(kuò)展) 性價比優(yōu)勢的磁盤控制器。第二代英特爾® PRO/1000 T IP存儲適配器顯著提高了iSCSi存儲應(yīng)用的性能。
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