Type-I格式緊湊Flash卡交互符號干擾ISI影響
發(fā)布時間:2021/1/2 17:40:00 訪問次數(shù):222
一款1GB 緊湊Flash卡。這是目前可供貨的最高密度的Type-I格式緊湊Flash卡。器件型號為THNCF1G02MA，可以提供大容量的包括音樂、數(shù)字照片和視頻圖像在內(nèi)的大型文件。
作為NAND閃存的發(fā)明者和閃存卡技術的先鋒，東芝將其低功耗、高性能NAND閃存技術同緊湊Flash Type-I 形狀系數(shù)結合起來，提供了能進行可靠穩(wěn)定工作的高密度薄型器件。
更高容量閃存卡的需求取決于能存儲數(shù)字視頻的更高清晰度數(shù)碼相機，MP3播放機和其它數(shù)字消費類產(chǎn)品如PDA的日益流行。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管 RoHS: 詳細信息 技術:Si 封裝 / 箱體:TO-247-3 安裝風格:Through Hole 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.6 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:80 A Pd-功率耗散:319.2 W 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列:Trenchstop IGBT3 封裝:Tube 商標:Infineon Technologies 柵極—射極漏泄電流:100 nA 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors 工廠包裝數(shù)量:240 子類別:IGBTs 商標名:TRENCHSTOP 零件號別名:IKW50N60DTP SP001379678 單位重量:6.065 g
THNCF1G02MA 1GB 緊湊Flash卡由4個2Gb存儲器和一個控制器組成。THNCF1G02MA具有1.5 MB/s的持續(xù)寫速度和6.5MB/s的持續(xù)讀速度。
可以消除狹長的PCB布線帶來的交互符號干擾(ISI)影響。器件還支持系統(tǒng)級的信號完整性，包括高輸入靈敏度、阻抗匹配I/O和每通道可調(diào)整輸出驅(qū)動電平。器件還集成了一些性能來支持板級可制造性，例如板上PRBS發(fā)生器/探測器，集成的溫度傳感器/報警器，支持邊界掃描以及有通過單個端口來加強或感應任意管腳信號的功能。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
一款1GB 緊湊Flash卡。這是目前可供貨的最高密度的Type-I格式緊湊Flash卡。器件型號為THNCF1G02MA，可以提供大容量的包括音樂、數(shù)字照片和視頻圖像在內(nèi)的大型文件。
作為NAND閃存的發(fā)明者和閃存卡技術的先鋒，東芝將其低功耗、高性能NAND閃存技術同緊湊Flash Type-I 形狀系數(shù)結合起來，提供了能進行可靠穩(wěn)定工作的高密度薄型器件。
更高容量閃存卡的需求取決于能存儲數(shù)字視頻的更高清晰度數(shù)碼相機，MP3播放機和其它數(shù)字消費類產(chǎn)品如PDA的日益流行。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管 RoHS: 詳細信息 技術:Si 封裝 / 箱體:TO-247-3 安裝風格:Through Hole 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.6 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:80 A Pd-功率耗散:319.2 W 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列:Trenchstop IGBT3 封裝:Tube 商標:Infineon Technologies 柵極—射極漏泄電流:100 nA 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors 工廠包裝數(shù)量:240 子類別:IGBTs 商標名:TRENCHSTOP 零件號別名:IKW50N60DTP SP001379678 單位重量:6.065 g
THNCF1G02MA 1GB 緊湊Flash卡由4個2Gb存儲器和一個控制器組成。THNCF1G02MA具有1.5 MB/s的持續(xù)寫速度和6.5MB/s的持續(xù)讀速度。
可以消除狹長的PCB布線帶來的交互符號干擾(ISI)影響。器件還支持系統(tǒng)級的信號完整性，包括高輸入靈敏度、阻抗匹配I/O和每通道可調(diào)整輸出驅(qū)動電平。器件還集成了一些性能來支持板級可制造性，例如板上PRBS發(fā)生器/探測器，集成的溫度傳感器/報警器，支持邊界掃描以及有通過單個端口來加強或感應任意管腳信號的功能。
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