DDR SDRAM 的2.5V 功率的72%被動(dòng)和半主動(dòng)的方式
發(fā)布時(shí)間:2020/12/19 22:27:30 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):490
片內(nèi)端接大小和操作由內(nèi)存控制器中心控制,與DDR2SDRAM DIMM 的位置及內(nèi)存操作類(lèi)型(讀取或?qū)懭?有關(guān)。通過(guò)為數(shù)據(jù)有效窗口創(chuàng)建更大的眼圖,提高電壓余量、提高轉(zhuǎn)換速率、降低過(guò)沖、降低ISI (碼間干擾),ODT操作改善了信號(hào)完整性。
DDR2 SDRAM 在1.8V 上操作,降低了內(nèi)存系統(tǒng)的功率,這一功率是DDR SDRAM 的2.5V 功率的72%。
外觀(guān)尺寸:2.5 in產(chǎn)品:SATA Flash Drives存儲(chǔ)容量:4 GB連續(xù)讀。150 MB/s連續(xù)寫(xiě)入:50 MB/s工作電源電壓:5 V配置:SLC最大工作溫度:+ 85 C尺寸:70 mm x 48.66 mm x 9.25 mm有源模式電流:333 mA商標(biāo):Apacer連接器類(lèi)型:7-pin signal, 15-pin power最小工作溫度:- 40 C系列:SAFD-25M4ROHS:無(wú)鉛
RFID 可按照工作頻率、供電方式、應(yīng)用范圍和讀寫(xiě)類(lèi)型分為四大類(lèi)被。
按工作頻率可分為低頻、低頻、高頻、超高頻和微波,頻率不同傳播速度、傳播距離不同;
按供電方式可分為有源、無(wú)源、半有源三種方式,對(duì)應(yīng)主動(dòng)、被動(dòng)和半主動(dòng)的獲取能量方式;
按應(yīng)用范圍可分為針對(duì)企業(yè)和行業(yè)的閉環(huán)應(yīng)用,以及跨行業(yè)的開(kāi)環(huán)方式;
按讀寫(xiě)類(lèi)型可分為可讀寫(xiě)卡,一次寫(xiě)入多次讀出卡和只讀卡。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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DDR2 SDRAM 在1.8V 上操作,降低了內(nèi)存系統(tǒng)的功率,這一功率是DDR SDRAM 的2.5V 功率的72%。
外觀(guān)尺寸:2.5 in產(chǎn)品:SATA Flash Drives存儲(chǔ)容量:4 GB連續(xù)讀。150 MB/s連續(xù)寫(xiě)入:50 MB/s工作電源電壓:5 V配置:SLC最大工作溫度:+ 85 C尺寸:70 mm x 48.66 mm x 9.25 mm有源模式電流:333 mA商標(biāo):Apacer連接器類(lèi)型:7-pin signal, 15-pin power最小工作溫度:- 40 C系列:SAFD-25M4ROHS:無(wú)鉛
RFID 可按照工作頻率、供電方式、應(yīng)用范圍和讀寫(xiě)類(lèi)型分為四大類(lèi)被。
按工作頻率可分為低頻、低頻、高頻、超高頻和微波,頻率不同傳播速度、傳播距離不同;
按供電方式可分為有源、無(wú)源、半有源三種方式,對(duì)應(yīng)主動(dòng)、被動(dòng)和半主動(dòng)的獲取能量方式;
按應(yīng)用范圍可分為針對(duì)企業(yè)和行業(yè)的閉環(huán)應(yīng)用,以及跨行業(yè)的開(kāi)環(huán)方式;
按讀寫(xiě)類(lèi)型可分為可讀寫(xiě)卡,一次寫(xiě)入多次讀出卡和只讀卡。
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