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48引腳TSOP 1型高速?gòu)?fù)接器和積分器重置電路

發(fā)布時(shí)間:2020/12/25 8:49:02 訪問(wèn)次數(shù):508

開(kāi)關(guān)提供電荷抑制5pC,以最大限度提高信號(hào)完整性。8引腳的SOIC SMT封裝減少板的空間。

ISL8323,ISL8324和ISL8325的引腳和Maxim公司的MAX323,MAX324和MAX325以及Pericom公司的PS323, PS324和 PS325的兼容。所有這三種器件都工作在2.7V到12V。目標(biāo)應(yīng)用包括3V和5V的DAC和ADC,取樣保持電路,數(shù)字濾波器,運(yùn)算放大器增益切換,高頻模擬開(kāi)關(guān),高速?gòu)?fù)接器和積分器重置電路。

軟衛(wèi)星的兩個(gè)特點(diǎn)是模塊化和直接訪問(wèn)射頻硬件,使射頻軟件化的使用結(jié)合了重新配置的能力。這給予了軟衛(wèi)星任務(wù)靈活性和多模式操作,同時(shí)降低其對(duì)未來(lái)市場(chǎng)變化的敏感度。

重新配置大大降低了與固定硬件(單一任務(wù))載荷相關(guān)的巨大風(fēng)險(xiǎn)。軟衛(wèi)星允許根據(jù)需要?jiǎng)討B(tài)引入新的無(wú)線電頻率計(jì)劃,或重新分配每個(gè)應(yīng)答機(jī)以滿足任務(wù)更新的需要。結(jié)合電子轉(zhuǎn)向天線(ESA),服務(wù)提供商可獲得通用的長(zhǎng)壽命星載應(yīng)用。

為了節(jié)省板的空間,存儲(chǔ)器采用小型48引腳TSOP 1型封裝,和日立前面的產(chǎn)品512M位閃存產(chǎn)品一樣。1G位器件在引腳排列和指令是和NAND型接口兼容的,只要稍為修改一下軟件就能代替。

上電時(shí)的閱讀功能,當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí)通過(guò)控制CE和RE引腳就能閱讀多達(dá)2K字節(jié)的數(shù)據(jù)而不用指令或輸入地址。這方便了起動(dòng)過(guò)程。支持的工具如功能描述模式,C語(yǔ)言參考庫(kù)以幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

AG-AND閃存單元采用新穎的輔助柵區(qū)絕緣方法,以得到比傳統(tǒng)淺槽絕緣(SGI)方法的更高的密度。這使得1G位的器件比用0.18微米工藝所生產(chǎn)的512M位的要小。

(素材來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)



開(kāi)關(guān)提供電荷抑制5pC,以最大限度提高信號(hào)完整性。8引腳的SOIC SMT封裝減少板的空間。

ISL8323,ISL8324和ISL8325的引腳和Maxim公司的MAX323,MAX324和MAX325以及Pericom公司的PS323, PS324和 PS325的兼容。所有這三種器件都工作在2.7V到12V。目標(biāo)應(yīng)用包括3V和5V的DAC和ADC,取樣保持電路,數(shù)字濾波器,運(yùn)算放大器增益切換,高頻模擬開(kāi)關(guān),高速?gòu)?fù)接器和積分器重置電路。

軟衛(wèi)星的兩個(gè)特點(diǎn)是模塊化和直接訪問(wèn)射頻硬件,使射頻軟件化的使用結(jié)合了重新配置的能力。這給予了軟衛(wèi)星任務(wù)靈活性和多模式操作,同時(shí)降低其對(duì)未來(lái)市場(chǎng)變化的敏感度。

重新配置大大降低了與固定硬件(單一任務(wù))載荷相關(guān)的巨大風(fēng)險(xiǎn)。軟衛(wèi)星允許根據(jù)需要?jiǎng)討B(tài)引入新的無(wú)線電頻率計(jì)劃,或重新分配每個(gè)應(yīng)答機(jī)以滿足任務(wù)更新的需要。結(jié)合電子轉(zhuǎn)向天線(ESA),服務(wù)提供商可獲得通用的長(zhǎng)壽命星載應(yīng)用。

為了節(jié)省板的空間,存儲(chǔ)器采用小型48引腳TSOP 1型封裝,和日立前面的產(chǎn)品512M位閃存產(chǎn)品一樣。1G位器件在引腳排列和指令是和NAND型接口兼容的,只要稍為修改一下軟件就能代替。

上電時(shí)的閱讀功能,當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí)通過(guò)控制CE和RE引腳就能閱讀多達(dá)2K字節(jié)的數(shù)據(jù)而不用指令或輸入地址。這方便了起動(dòng)過(guò)程。支持的工具如功能描述模式,C語(yǔ)言參考庫(kù)以幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

AG-AND閃存單元采用新穎的輔助柵區(qū)絕緣方法,以得到比傳統(tǒng)淺槽絕緣(SGI)方法的更高的密度。這使得1G位的器件比用0.18微米工藝所生產(chǎn)的512M位的要小。

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