由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯(lián)在一起，，擦除不能按字節(jié)擦除，而是全片或者分塊擦除。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)，閃存也實(shí)現(xiàn)了單晶體管設(shè)計(jì)，主要就是在原有的晶體管上加入浮空柵和選擇柵.

NAND閃存陣列分為一系列128kB的區(qū)塊(block)，這些區(qū)塊是NAND器件中最小的可擦除實(shí)體。擦除一個(gè)區(qū)塊就是把所有的位(bit)設(shè)置為“1”(而所有字節(jié)(byte)設(shè)置為FFh)。有必要通過(guò)編程，將已擦除的位從“1”變?yōu)椤?”。最小的編程實(shí)體是字節(jié)(byte)。一些NOR閃存能同時(shí)執(zhí)行讀寫操作。雖然NAND不能同時(shí)執(zhí)行讀寫操作，它可以采用稱為“映射(shadowing)”的方法，在系統(tǒng)級(jí)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。將BIOS從速率較低的ROM加載到速率較高的RAM上。

制造商

Samsung Electro-Mechanics

制造商零件編號(hào)

CIGT201208EH1R0MNE

描述

FIXED IND 1UH 3.1A 55MOHM SMD

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí) （MSL） 1（無(wú)限）

詳細(xì)描述 pval-2087-無(wú)屏蔽-薄膜-電感器-pval-2088-55-毫歐最大-0805（2012-公制）-

類型 薄膜

材料 - 磁芯 金屬合成物

電感 1μH

容差 ±20%

額定電流（安培） 3.1A

電流 - 飽和值 3.2A

屏蔽 無(wú)屏蔽

DC 電阻（DCR） 55 毫歐最大

不同頻率時(shí)的 Q 值 -

頻率 - 自諧振 -

等級(jí) -

工作溫度 -40°C ~ 125°C

電感頻率 - 測(cè)試 1MHz

特性 -

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 0805（2012 公制）

供應(yīng)商器件封裝 0805（2012 公制）

大小/尺寸 0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）

高度 - 安裝（最大值） 0.031"（0.80mm）

輸入端噪聲對(duì)ADC"接地輸入端"直方圖的影響(ADC具有少量DNL)

雖然ADC固有的微分非線性(DNL)可能會(huì)導(dǎo)致其噪聲分布與理想的高斯分布有細(xì)微的偏差，但它至少大致呈高斯分布。如果DNL比較大，則應(yīng)計(jì)算多個(gè)不同直流輸入電壓的-值，然后求平均值。如果代碼分布具有較大且獨(dú)特的峰值和谷值，則表明ADC設(shè)計(jì)不佳，或者更有可能的是PCB布局布線錯(cuò)誤、接地不良、電源去耦不當(dāng)。當(dāng)直流輸入掃過(guò)ADC輸入電壓范圍時(shí)，如果分布寬度急劇變化，這也表明存在問(wèn)題。

設(shè)計(jì)不佳的ADC和/或布局布線、接地、去耦不當(dāng)?shù)慕拥剌斎攵酥狈綀D。

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