專用存儲(chǔ)器改變MOSFET的設(shè)置引腳和地之間的電阻來(lái)編程
發(fā)布時(shí)間:2023/4/26 12:38:17 訪問(wèn)次數(shù):49
專用存儲(chǔ)器(ASM),它是基于富士通FCRAM結(jié)構(gòu)的低功耗移動(dòng)快速周期隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FCRAM)系列。這兩種FCRAM器件是用在下一代移動(dòng)手機(jī),它能提供諸如互聯(lián)網(wǎng)接入,音樂(lè)發(fā)送,e-Mail,視頻明信片,信息和地方性服務(wù)。新的ASM滿足了先進(jìn)設(shè)備對(duì)擴(kuò)充存儲(chǔ)器的要求以及這些最新的手機(jī)技術(shù)所必需的數(shù)據(jù)速率的要求。
新的移動(dòng)FCRAM采用頁(yè)模式操作,大大地改善了同一頁(yè)內(nèi)連續(xù)出現(xiàn)的地址存取的性能。器件也集成了兩個(gè)新特性,以適應(yīng)每一個(gè)目標(biāo)市場(chǎng)。
SS4G機(jī)車控制電路根據(jù)各環(huán)節(jié)作用的不同,可分為以下幾個(gè)環(huán)節(jié):
控制電源;
整備控制電路;
調(diào)速控制電路;
保護(hù)控制電路;
信號(hào)控制電路;
照明控制電路。
低電壓P溝MOSFET功率開(kāi)關(guān)ST890,用在USB和加載開(kāi)關(guān)的高邊。
ST890的最大電流限制在1.2A,由改變MOSFET的設(shè)置引腳和地之間的電阻來(lái)編程。內(nèi)部的限流電路保護(hù)輸入電源免受過(guò)載。其它特性還有加電時(shí)的最大靜態(tài)電流為25μA,熱關(guān)斷時(shí)為5μA,故障指示輸出,導(dǎo)通電阻典型值僅有90毫歐姆。
有兩種型號(hào)的TS890:C系列,工作結(jié)溫0度 到 70度C,B系列,工作結(jié)溫40度 到80度C。封裝是SO-8封裝。

專用存儲(chǔ)器(ASM),它是基于富士通FCRAM結(jié)構(gòu)的低功耗移動(dòng)快速周期隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FCRAM)系列。這兩種FCRAM器件是用在下一代移動(dòng)手機(jī),它能提供諸如互聯(lián)網(wǎng)接入,音樂(lè)發(fā)送,e-Mail,視頻明信片,信息和地方性服務(wù)。新的ASM滿足了先進(jìn)設(shè)備對(duì)擴(kuò)充存儲(chǔ)器的要求以及這些最新的手機(jī)技術(shù)所必需的數(shù)據(jù)速率的要求。
新的移動(dòng)FCRAM采用頁(yè)模式操作,大大地改善了同一頁(yè)內(nèi)連續(xù)出現(xiàn)的地址存取的性能。器件也集成了兩個(gè)新特性,以適應(yīng)每一個(gè)目標(biāo)市場(chǎng)。
SS4G機(jī)車控制電路根據(jù)各環(huán)節(jié)作用的不同,可分為以下幾個(gè)環(huán)節(jié):
控制電源;
整備控制電路;
調(diào)速控制電路;
保護(hù)控制電路;
信號(hào)控制電路;
照明控制電路。
低電壓P溝MOSFET功率開(kāi)關(guān)ST890,用在USB和加載開(kāi)關(guān)的高邊。
ST890的最大電流限制在1.2A,由改變MOSFET的設(shè)置引腳和地之間的電阻來(lái)編程。內(nèi)部的限流電路保護(hù)輸入電源免受過(guò)載。其它特性還有加電時(shí)的最大靜態(tài)電流為25μA,熱關(guān)斷時(shí)為5μA,故障指示輸出,導(dǎo)通電阻典型值僅有90毫歐姆。
有兩種型號(hào)的TS890:C系列,工作結(jié)溫0度 到 70度C,B系列,工作結(jié)溫40度 到80度C。封裝是SO-8封裝。

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