TBW表示帶寬延遲，TL_1node 表示幀通過(guò)單個(gè)節(jié)點(diǎn)的延遲。除了與位通過(guò)線路進(jìn)行物理傳輸，以及計(jì)入地址位用于實(shí)施目標(biāo)地址分析相關(guān)的延遲外，PHY和開(kāi)關(guān)組件延遲是其他會(huì)影響系統(tǒng)內(nèi)的傳輸延遲的因素。隨著線路上的位速率增加，節(jié)點(diǎn)數(shù)量增多，這些延遲對(duì)整個(gè)端到端幀傳輸延遲的影響會(huì)更大。

兩款新工業(yè)以太網(wǎng)PHY，專用于在更廣泛的環(huán)境溫度范圍（最高105°C）內(nèi)，在嚴(yán)苛的工業(yè)條件下可靠運(yùn)行，具備出色的功率和延遲規(guī)格。ADIN1300 和ADIN1200 專用于解決本文中提到的挑戰(zhàn)，成為工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。有了fido5000 實(shí)時(shí)以太網(wǎng)、多協(xié)議嵌入式雙端口開(kāi)關(guān)后，ADI公司開(kāi)發(fā)出了適用于確定性時(shí)間敏感型應(yīng)用的解決方案。

標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品家庭：?jiǎn)味䴓O管/整流器系列：-包裝：帶卷（TR）二極管類型：肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）：20V電流 - 平均整流（Io）：500mA不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）：430mV @ 500mA速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：-不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流：250μA @ 20V不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容：58pF @ 0V，1MHz安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：SC-76，SOD-323供應(yīng)商器件封裝：SOD-323工作溫度 - 結(jié)：-55°C ~ 125°C其它名稱：B0520WSB0520WSDITR

NOTE：CS0 和 CS1 在同一時(shí)刻，只有一個(gè)可以處于使能狀態(tài)，即同一時(shí)刻，只有一個(gè) Device 可以被訪問(wèn)。

組織方式只增加總體容量，不增加帶寬。描述的組織方式則可以既增加總體容量，也增加帶寬。多個(gè) DRAM Devices 共享控制總線和 Chip Select 信號(hào)，DRAM Controller 同時(shí)每個(gè) DRAM Devices，各個(gè) Devices 的數(shù)據(jù)合并到一起，例如 Device 1 的數(shù)據(jù)輸出到數(shù)據(jù)總線的 DATA[0:7] 信號(hào)上，Device 2 的數(shù)據(jù)輸出到數(shù)據(jù)總線的 DATA[8:15] 上。這樣的組織方式下，16 bits 的數(shù)據(jù)就只需要一個(gè)訪問(wèn)周期就可以完成，而不需要分解為兩個(gè) 8 bits 的訪問(wèn)周期。

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