NIS3001內(nèi)具有導(dǎo)通電阻極低(2.6 毫歐)的用作同步MOSFET的器件，和速度極快以控制MOSFET的器件。

NIS3001應(yīng)用在符合VRM 9和VRM 10電源規(guī)范的直流/直流轉(zhuǎn)換器和通信降壓轉(zhuǎn)換器上，它設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔，寄生電感極低，轉(zhuǎn)換性能良好。門(mén)驅(qū)動(dòng)器和MOSFET之間配合完善，使延遲時(shí)間達(dá)到最小。

該技術(shù)理念包括在標(biāo)準(zhǔn)QFN封裝內(nèi)裝配模擬驅(qū)動(dòng)器裸芯片。然后該模擬QFN連同兩塊MOSFET裸芯片共同封裝在一個(gè)主電源QFN導(dǎo)線架內(nèi)。整個(gè)模塊以Mold Array Process (MAP)塑模。

制造商:Renesas Electronics 產(chǎn)品種類:參考電壓 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 參考類型:Series Precision References 輸出電壓:4.096 V 溫度系數(shù):3 PPM/C 串聯(lián)VREF—輸入電壓—最大值:18 V 分流電流—最大值:7 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 準(zhǔn)確性:150 uV/mA 高度:1.5 mm (Max) 輸入電壓:18 V 長(zhǎng)度:5 mm (Max) 寬度:4 mm (Max) 商標(biāo):Renesas / Intersil 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Series References 負(fù)載調(diào)節(jié):150 uV/mA 產(chǎn)品類型:Voltage References 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:540 mg 窗體底端

當(dāng)采用1-Gbps外部調(diào)制器時(shí)，該器件由于采用溫度控制的波長(zhǎng)調(diào)諧，能把通信距離擴(kuò)展至100km以上，因而降低了網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的成本。

作為外部調(diào)制器，ML9XX37能用在DWDM的C波段(1530-1565nm)的五個(gè)通道，通道間的間距為0.8nm波長(zhǎng)ITU[2]柵格。

器件的溫控波長(zhǎng)調(diào)諧器能降低五通道系統(tǒng)備份模塊的成本80%之多，因?yàn)槟苷{(diào)整一個(gè)備份模塊作為五個(gè)通道中的任一個(gè)，因此不必要保持五個(gè)未經(jīng)調(diào)整的備份模塊-每通道一個(gè)。

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