同時還集成了一個振動電機(jī)驅(qū)動器、LED和和蜂鳴/振鈴驅(qū)動器、一個帶復(fù)用器(MUX)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器和一個SPI接口。

該器件轉(zhuǎn)換效率高達(dá)95%，靜態(tài)電流典型值為65uA.設(shè)計用于NiCd或NiMH電池，TSP61100集成轉(zhuǎn)換器，其電壓為1.5-5.5V，LDO的電壓為0.9-3.6V，輸出電流高達(dá)200mA,工作電壓低到0.8V輸出電壓咳用外接電阻來調(diào)整。

除了外接的VCO恒溫槽電路，它集成了RF下變換到標(biāo)準(zhǔn)IF所需要的所有元件。

濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 1000 子類別:Memory & Data Storage 商標(biāo)名: 單位重量:11.512 g

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:195 A Rds On

漏源導(dǎo)通電阻:1.65 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3.7 V Qg-柵極電荷:274 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:341 W 

多頻帶RF混頻振蕩器SL2610，具有影像抑制和頻率合成器的功能。它主要用在陸地所有頻帶的調(diào)諧器，而需要數(shù)量最少的外接元件。

主要的特性有：單片混頻振蕩器PLL，用于DTT的多帶調(diào)諧器；每個混頻振蕩器都進(jìn)行優(yōu)化，以達(dá)到大的動態(tài)范圍；RF輸入級既是單端的，也可以是差分的；PLL頻率合成器的相位噪音低；帶調(diào)整的寬帶輸出電平檢測；PLL頻率合成器和標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字失調(diào)相兼容；四個集成的轉(zhuǎn)換端口；和I2C快速模式兼容。

可應(yīng)用在陸地數(shù)字和模擬接收系統(tǒng)，線纜接收系統(tǒng)和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。

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