兩邊冷卻的SO-8 SMT封裝來(lái)控制頻率和幅度
發(fā)布時(shí)間:2020/12/31 8:57:09 訪問(wèn)次數(shù):314
Intersil的EL6229C是雙三通道(一個(gè)讀和兩個(gè)寫(xiě))激光驅(qū)動(dòng)器,改善了兩種CD和DVD激光二極管的電流控制。每個(gè)通道有獨(dú)立的DVD或CD驅(qū)動(dòng)器輸出使能引腳。這就簡(jiǎn)化控制,和現(xiàn)有的單通道設(shè)計(jì)100%兼容。和Intersil新型EL622XC其它系列產(chǎn)品一樣,EL6229C改善波形保真度,增加輸出電流,降低功耗和噪音,使更高速度的CD-R/RW和DVD設(shè)計(jì)成為可能。
EL6229C有片上60MHz的振蕩器,用外接電阻(一端接地)來(lái)控制頻率和幅度。外接電阻使用戶能用電阻上的電壓準(zhǔn)確和獨(dú)立地設(shè)定每個(gè)放大器的跨導(dǎo)而不管電壓的大小,保證了DAC寬電壓容量。

功能:
超寬帶頻率范圍:10 MHz至60 GHz
衰減范圍:2 dB步進(jìn)至22 dB
低插入損耗
衰減精度
典型步進(jìn)誤差
高輸入線性度
高RF輸入功率處理:
相對(duì)相位中的緊湊分布
無(wú)低頻雜散信號(hào)
并行模式控制,
CMOS和LVTTL兼容
RF幅度建立時(shí)間(0.1 dB最終RF輸出):175 ns
16引腳、
2.5 mm × 2.5 mm、
LGA封裝
應(yīng)用:
工業(yè)掃描儀
測(cè)試和儀器儀表
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施:5G 毫米波
軍用無(wú)線電、雷達(dá)、
電子對(duì)抗(ECM)
微波無(wú)線電
甚小孔徑終端(VSAT)
產(chǎn)品描述:
ADRF5740
是一款硅、4位數(shù)字衰減器,
以2 dB步長(zhǎng)提供22 dB
衰減控制范圍。

30V IRF607封在兩邊冷卻的SO-8 SMT封裝,在導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗都有重大的改進(jìn),它的2.7耗歐姆超低導(dǎo)通電阻在SO-8封裝中是最小的。它的低柵極電荷和柵-漏電荷以及比SO-8封裝MOSFET低70%的封裝電感,使它在兆赫頻率范圍有低的開(kāi)關(guān)損耗。
DirectFET封裝的高熱導(dǎo)性能很快把熱量散出去。采用熱沉從封裝的頂部把熱散走,降低了每個(gè)MOSFET周?chē)拿娣e,縮小電路尺寸,降低PCB的寄生電感,從而消除不必要的開(kāi)關(guān)損耗。
DirectFET MOSFET IRF6607,專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用在高頻同步降壓轉(zhuǎn)換器中。
(素材來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
Intersil的EL6229C是雙三通道(一個(gè)讀和兩個(gè)寫(xiě))激光驅(qū)動(dòng)器,改善了兩種CD和DVD激光二極管的電流控制。每個(gè)通道有獨(dú)立的DVD或CD驅(qū)動(dòng)器輸出使能引腳。這就簡(jiǎn)化控制,和現(xiàn)有的單通道設(shè)計(jì)100%兼容。和Intersil新型EL622XC其它系列產(chǎn)品一樣,EL6229C改善波形保真度,增加輸出電流,降低功耗和噪音,使更高速度的CD-R/RW和DVD設(shè)計(jì)成為可能。
EL6229C有片上60MHz的振蕩器,用外接電阻(一端接地)來(lái)控制頻率和幅度。外接電阻使用戶能用電阻上的電壓準(zhǔn)確和獨(dú)立地設(shè)定每個(gè)放大器的跨導(dǎo)而不管電壓的大小,保證了DAC寬電壓容量。

功能:
超寬帶頻率范圍:10 MHz至60 GHz
衰減范圍:2 dB步進(jìn)至22 dB
低插入損耗
衰減精度
典型步進(jìn)誤差
高輸入線性度
高RF輸入功率處理:
相對(duì)相位中的緊湊分布
無(wú)低頻雜散信號(hào)
并行模式控制,
CMOS和LVTTL兼容
RF幅度建立時(shí)間(0.1 dB最終RF輸出):175 ns
16引腳、
2.5 mm × 2.5 mm、
LGA封裝
應(yīng)用:
工業(yè)掃描儀
測(cè)試和儀器儀表
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施:5G 毫米波
軍用無(wú)線電、雷達(dá)、
電子對(duì)抗(ECM)
微波無(wú)線電
甚小孔徑終端(VSAT)
產(chǎn)品描述:
ADRF5740
是一款硅、4位數(shù)字衰減器,
以2 dB步長(zhǎng)提供22 dB
衰減控制范圍。

30V IRF607封在兩邊冷卻的SO-8 SMT封裝,在導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗都有重大的改進(jìn),它的2.7耗歐姆超低導(dǎo)通電阻在SO-8封裝中是最小的。它的低柵極電荷和柵-漏電荷以及比SO-8封裝MOSFET低70%的封裝電感,使它在兆赫頻率范圍有低的開(kāi)關(guān)損耗。
DirectFET封裝的高熱導(dǎo)性能很快把熱量散出去。采用熱沉從封裝的頂部把熱散走,降低了每個(gè)MOSFET周?chē)拿娣e,縮小電路尺寸,降低PCB的寄生電感,從而消除不必要的開(kāi)關(guān)損耗。
DirectFET MOSFET IRF6607,專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用在高頻同步降壓轉(zhuǎn)換器中。
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