使用低側(cè)電源工作的隔離放大器和ADC。傳統(tǒng)隔離放大器與單電源隔離放大器.

器件包括一個(gè)全集成DC/DC轉(zhuǎn)換器級，可在內(nèi)部產(chǎn)生高側(cè)電源。這種DC/DC轉(zhuǎn)換器的架構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化，可從高側(cè)低壓差調(diào)節(jié)器（LDO）輸出引腳（通常表示為HLDOOUT）為輔助電路（如有源濾波器、前置放大器或比較器）提供高達(dá)1 mA的額外直流電流。

基于分流器的電流感應(yīng)提供高精度。帶集成DC/DC轉(zhuǎn)換器的AMC3301精密增強(qiáng)型隔離放大器。

支持一個(gè) 1.5V 至 12V (由單個(gè)外部電阻器來設(shè)定)

輸出電壓范圍。

該器件的高效率設(shè)計(jì)

能夠提供雙通道 2A 連續(xù)、

3A 峰值輸出電流。

僅需少量陶瓷輸入和輸出電容器。

支持可選的突發(fā)模式操作

以及用于電源軌排序

輸出電壓跟蹤功能。

高開關(guān)頻率和電流模式控制

運(yùn)用可實(shí)現(xiàn)針對電壓

負(fù)載變化的非�？焖偎矐B(tài)響應(yīng)，

而并未犧牲穩(wěn)定性。

故障保護(hù)功能包括輸入過壓、

輸出過流和過熱保護(hù)。

6.25mm x 6.25mm x 2.42mmBGA 封裝。

微占位器件取決于焊接工藝，Siliconix公司開發(fā)的專有的焊接方法，功率MOSFET芯片就不需要外層包裝。兩種產(chǎn)品Si8900EDB 和Si8902EDB的ESD保護(hù)達(dá)4000V。

墻上適配器需要30V的器件，雙向的Si6876EDQ功率MOSFET在4.5V柵驅(qū)動時(shí)導(dǎo)通電阻為30 m歐姆，其封裝為TSSOP-8。如果要用更低的電壓，20-V Si6880EDQ的導(dǎo)通電阻在4.5V柵驅(qū)動時(shí)為18 m歐姆，也可工作到低于1.8V, 其封裝也是TSSOP-8。兩種器件的ESD保護(hù)為4000V。

為了改善熱性能，30-V Si7902EDN雙共漏功率MOSFET可用PowerPAK 1212-8封裝.