小型體積為1.07mm,占位面積為10.56 mm2。Si7902EDN在4.5V柵驅(qū)動時，其導通電阻為28 m歐姆，ESD保護為3000V。

共漏器件在充電時能進行保護，防止過流和過壓的出現(xiàn)，當電池充滿電時防止向交流源放電。

低導通電阻有助于延長電池壽命，增加手提設備如手機，PDA和尋呼機等的通話和待機時間.

所有這五鐘功率MOSFET工作在-55度to150度的溫度范圍。

寬電源電壓范圍：3 V至10 V

寬輸入共模電壓范圍：

−VS至 +VS − 1.3 V

軌到軌輸出

采用額定雙電源工作模式

全功率模式

低諧波失真

快速建立時間

18位：100 ns

16位：50 ns

應用：

低功耗Σ-Δ型、

PulSAR®和SAR ADC驅(qū)動器

單端轉(zhuǎn)差分轉(zhuǎn)換器

差分緩沖器

醫(yī)療成像

過程控制

便攜式電子設備

產(chǎn)品描述：

ADA4945-1

是一款低噪聲、低失真、

全差分放大器，

具有兩種可選功率模式。

該器件采用3 V至10 V

寬電源電壓范圍工作。

低直流失調(diào)、直流失調(diào)漂移

適合各種數(shù)據(jù)采集與信號處理應用。

采用4 mA靜態(tài)電流（全功率模式）

工作高分辨率、

高性能逐次逼近型寄存器(SAR)

Σ-Δ型模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。

4個電阻組成的簡單外部反饋網(wǎng)絡

便可實現(xiàn)差分增益配置，

反饋網(wǎng)絡決定放大器的閉環(huán)增益。

專有硅鍺(SiGe)互補雙極性工藝制造，

使該器件實現(xiàn)極低的失真水平，

輸入電壓噪聲僅為1.8 nV/√Hz（全功率模式）。

RoHS標準

3 mm × 3 mm、

16引腳

LFCSP封裝。

−40°C至+125°C。

64M位閃存器件，用在手提設備和手機市場，支持幾種不同的吞吐量，消耗比其它產(chǎn)品更低的功率。

Am29BDS640G是可以和8M位或16M位SRAM封在一起的多片式封裝(MCP)，能使AMD客戶設計出更小更輕的終端產(chǎn)品。該器件還有高性能突發(fā)模式接口和AMD同時讀/寫結(jié)構(gòu)以及FlexBank結(jié)構(gòu)。

AMD的閃存器件支持用在高檔手機和其它手提設備的54MHz的微處理器，隨機存取時間為70ns,同步存取時間為13.5ns。