NTLTD7900在4.5V的RDS(ON)26耗歐姆的閉環(huán)回路
發(fā)布時(shí)間:2021/1/14 23:28:06 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):652
超低功耗的基于MCU的片上信號(hào)鏈(SCoC)MSP430F169,它有一個(gè)8通道200KSPS 的12位ADC,兩個(gè)12位DAC和一個(gè)可編程的直接存儲(chǔ)器存取控制器(DMA),非常適合用在功率,空間和成本都敏感的地方。
集成了在3通道DMA控制下的12位ADC和兩個(gè)12位DAC,設(shè)計(jì)者能完全實(shí)現(xiàn)低功耗應(yīng)用如從激光器泵和熱電冷卻器到遙控網(wǎng)絡(luò)可讀儀表的完整的閉環(huán)回路。
DMA由于不通過(guò)CPU能提供熟練的和可配置的數(shù)據(jù)傳輸,因此擴(kuò)展了基于MCU的信號(hào)處理能力。
指令快速執(zhí)行和MSP430的CPU從待機(jī)到起動(dòng)小于6微秒,其結(jié)果使其總功耗比同類(lèi)產(chǎn)品低10倍。
制造商:TXC Corporation產(chǎn)品種類(lèi):TCXO振蕩器RoHS: 封裝 / 箱體:2.5 mm x 2 mm長(zhǎng)度:2.5 mm寬度:2 mm系列:封裝:Reel商標(biāo):TXC Corporation產(chǎn)品類(lèi)型:TCXO Oscillators3000子類(lèi)別:Oscillators單位重量:13 mg
接口類(lèi)型:1-Wire 存儲(chǔ)容量:1 kbit 組織:256 x 4 電源電壓-最小:2.8 V 電源電壓-最大:5.25 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 數(shù)據(jù)保留:40 Year 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標(biāo):Maxim Integrated
NTLTD7900是9A不是20V器件,鋰離子電池盒的保護(hù)電路。它的封裝是3.3x3.3mm Micro-8LL無(wú)引腳封裝,和其它的TSSOP-8封裝的同類(lèi)產(chǎn)品相比,降低它在板的占位面積達(dá)48%。
NTLTD7900在4.5V的RDS(ON)為26耗歐姆,最小化功率消耗,所以延長(zhǎng)電池的壽命。它的熱阻降低到82度/W,而TSSOP-8為88度/W。
雖然Micro-8LL封裝更小,但是不影響性能。齊納二極管保護(hù)柵使靜電放電(ESD)保護(hù)超過(guò)工業(yè)上的要求。柵二極管集成到FET,電路中不用另接分立的背對(duì)背齊納二極管。
超低功耗的基于MCU的片上信號(hào)鏈(SCoC)MSP430F169,它有一個(gè)8通道200KSPS 的12位ADC,兩個(gè)12位DAC和一個(gè)可編程的直接存儲(chǔ)器存取控制器(DMA),非常適合用在功率,空間和成本都敏感的地方。
集成了在3通道DMA控制下的12位ADC和兩個(gè)12位DAC,設(shè)計(jì)者能完全實(shí)現(xiàn)低功耗應(yīng)用如從激光器泵和熱電冷卻器到遙控網(wǎng)絡(luò)可讀儀表的完整的閉環(huán)回路。
DMA由于不通過(guò)CPU能提供熟練的和可配置的數(shù)據(jù)傳輸,因此擴(kuò)展了基于MCU的信號(hào)處理能力。
指令快速執(zhí)行和MSP430的CPU從待機(jī)到起動(dòng)小于6微秒,其結(jié)果使其總功耗比同類(lèi)產(chǎn)品低10倍。
制造商:TXC Corporation產(chǎn)品種類(lèi):TCXO振蕩器RoHS: 封裝 / 箱體:2.5 mm x 2 mm長(zhǎng)度:2.5 mm寬度:2 mm系列:封裝:Reel商標(biāo):TXC Corporation產(chǎn)品類(lèi)型:TCXO Oscillators3000子類(lèi)別:Oscillators單位重量:13 mg
接口類(lèi)型:1-Wire 存儲(chǔ)容量:1 kbit 組織:256 x 4 電源電壓-最小:2.8 V 電源電壓-最大:5.25 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 數(shù)據(jù)保留:40 Year 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標(biāo):Maxim Integrated
NTLTD7900是9A不是20V器件,鋰離子電池盒的保護(hù)電路。它的封裝是3.3x3.3mm Micro-8LL無(wú)引腳封裝,和其它的TSSOP-8封裝的同類(lèi)產(chǎn)品相比,降低它在板的占位面積達(dá)48%。
NTLTD7900在4.5V的RDS(ON)為26耗歐姆,最小化功率消耗,所以延長(zhǎng)電池的壽命。它的熱阻降低到82度/W,而TSSOP-8為88度/W。
雖然Micro-8LL封裝更小,但是不影響性能。齊納二極管保護(hù)柵使靜電放電(ESD)保護(hù)超過(guò)工業(yè)上的要求。柵二極管集成到FET,電路中不用另接分立的背對(duì)背齊納二極管。
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