新型物理層和物理媒體器件芯片組，包括有多速率多協(xié)議收發(fā)器VSX8473，EAM驅(qū)動(dòng)器VSC7983和跨導(dǎo)放大器(TIA)VSC7999。這套10Gbps全速芯片組減少實(shí)現(xiàn)MSA兼容模塊所需的外接元件數(shù)量，速率高達(dá)11.3Gbps，支持所有10Gbps標(biāo)準(zhǔn)的和前向誤差修正速率。

采用這組芯片組，能降低整個(gè)材料請(qǐng)單，芯片數(shù)量，成本，功耗和所用的板面積以及大大降低模塊開(kāi)發(fā)時(shí)間。這些高集成度的器件能使OEM滿(mǎn)足下一代通信設(shè)備的價(jià)格，功耗和性能的要求。

VSC7999和PIN或雪崩光電二極管兼容，能放大輸出電流高達(dá)2.5mA，占空比失真低�？商峁┬酒蚑IA。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:650 V Id-連續(xù)漏極電流:10.1 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:650 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:23 nC 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:28 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:16.15 mm 長(zhǎng)度:10.65 mm 系列: 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel 寬度:4.85 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時(shí)間:11 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:8 ns 500 子類(lèi)別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:64 ns 典型接通延遲時(shí)間:10 ns 零件號(hào)別名:IPA65R650CE SP001295804 單位重量:6 g

它可以和接收器DS90CR486一起使用，能向下兼容其它的通道鏈接器如DS90CR482和 DS90CR484.。

DS90CR485的主要性能如下：高達(dá)6.384Gbps吞吐量；66MHz-133MHz輸入時(shí)鐘；預(yù)加重能降低電纜負(fù)載效應(yīng)；DC平衡降低了內(nèi)部符號(hào)干擾(ISI)失真；低功耗2.5V電源；100引腳TQFP封裝；和TIA/EIA-644-A LVDS標(biāo)準(zhǔn)兼容。

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