運算放大器內部電路的EMI侵入路徑
發(fā)布時間:2021/1/26 13:26:24 訪問次數:586
運算放大器的EMI干擾一般是從抗EMI干擾性能比較薄弱的輸入端子侵入，所以大多只對輸入端子實施EMI抗干擾對策。
新日本無線徹底分析了運算放大器內部各部分電路的EMI侵入路徑和對電路工作的影響以及出現故障的機理，對各部分電路實施了最佳的EMI抗干擾對策。
因為該產品是對IC內部電路實施的抗干擾對策，所以很少受到芯片版圖設計和封裝條件的影響，能夠提供穩(wěn)定的抗EMI干擾性能，從而降低了噪聲干擾測試后再從頭開始設計的風險。
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:肖特基二極管與整流器 產品:Schottky Diodes 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123-2 配置:Single 技術:Si If - 正向電流:500 mA Vrrm - 重復反向電壓:30 V Vf - 正向電壓:0.43 V Ifsm - 正向浪涌電流:5.5 A Ir - 反向電流 :130 uA 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 125 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.25 mm 長度:2.85 mm 端接類型:SMD/SMT 類型:0.5A Surface Mount Schottky Barrier Rectifier 寬度:1.7 mm 商標:Diodes Incorporated Pd-功率耗散:410 mW 產品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 3000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:10 mg
256Mb NAND閃存TC58DVM82F1XB00，它是16位接口而不是通常的8位接口，降低了數據傳輸的時間。每讀周期的要傳輸的數據增加了兩倍，降低了查找每頁數據所需的時間大約50%。
用標準的8位接口傳輸528B的一頁所需的時斷時間為26.4ms，而用16位寬的接口，則減小為13.2ms。
東芝最初推出的x16 NAND閃存是手機中用得最多的256Mb器件。
該單芯片256Mb x16 NAND閃存型號為TC58DVM82F1XB00，目標應用在手機，PDA和其它移動設備中。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
運算放大器的EMI干擾一般是從抗EMI干擾性能比較薄弱的輸入端子侵入，所以大多只對輸入端子實施EMI抗干擾對策。
新日本無線徹底分析了運算放大器內部各部分電路的EMI侵入路徑和對電路工作的影響以及出現故障的機理，對各部分電路實施了最佳的EMI抗干擾對策。
因為該產品是對IC內部電路實施的抗干擾對策，所以很少受到芯片版圖設計和封裝條件的影響，能夠提供穩(wěn)定的抗EMI干擾性能，從而降低了噪聲干擾測試后再從頭開始設計的風險。
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:肖特基二極管與整流器 產品:Schottky Diodes 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123-2 配置:Single 技術:Si If - 正向電流:500 mA Vrrm - 重復反向電壓:30 V Vf - 正向電壓:0.43 V Ifsm - 正向浪涌電流:5.5 A Ir - 反向電流 :130 uA 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 125 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.25 mm 長度:2.85 mm 端接類型:SMD/SMT 類型:0.5A Surface Mount Schottky Barrier Rectifier 寬度:1.7 mm 商標:Diodes Incorporated Pd-功率耗散:410 mW 產品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 3000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:10 mg
256Mb NAND閃存TC58DVM82F1XB00，它是16位接口而不是通常的8位接口，降低了數據傳輸的時間。每讀周期的要傳輸的數據增加了兩倍，降低了查找每頁數據所需的時間大約50%。
用標準的8位接口傳輸528B的一頁所需的時斷時間為26.4ms，而用16位寬的接口，則減小為13.2ms。
東芝最初推出的x16 NAND閃存是手機中用得最多的256Mb器件。
該單芯片256Mb x16 NAND閃存型號為TC58DVM82F1XB00，目標應用在手機，PDA和其它移動設備中。
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