4MSPS的12位逐次逼近(SAR)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)ADS7881
發(fā)布時(shí)間:2021/2/2 12:54:04 訪問次數(shù):879
它具有12位的分辨率,功耗僅有95mW.器件很適合用在需要高速和低功耗的高級(jí)應(yīng)用中如光網(wǎng)絡(luò),手提醫(yī)療系統(tǒng),高速數(shù)據(jù)采集,頻譜分析儀,圖像和通信.
ADS7881給用戶提供一種空前的解決方案,它在取樣速率4MHz下有12位的不丟失碼,線性度1LSB,失調(diào)電壓1.5mV,諧波失真-91dB,信噪比(SNR)71.5dB,功耗僅為95mW.
這是輸入信號(hào)頻率高達(dá)1.8MHz的高速數(shù)據(jù)采集的唯一的一種器件.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:900 V Id-連續(xù)漏極電流:36 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:120 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:270 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:417 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:21.1 mm 長(zhǎng)度:16.13 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.21 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時(shí)間:25 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:20 ns 240 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:400 ns 典型接通延遲時(shí)間:70 ns 零件號(hào)別名:IPW9R12C3XK SP000413750 IPW90R120C3FKSA1 單位重量:38 g
基于SAR的結(jié)構(gòu),與高速流水線和Delta-Sigma結(jié)構(gòu)不同,其優(yōu)點(diǎn)是沒有等待的轉(zhuǎn)換,因此很適合用作復(fù)接或伺服控制.
這些器件的直流性能,特別是失調(diào)和失調(diào)漂移,比目前可用的高速ADC要優(yōu)越得多.
由于ADS7881集成了基準(zhǔn)電壓源和基準(zhǔn)源緩沖器,給設(shè)計(jì)者提供了完整的解決方案.和其它許多高速ADC一樣,器件有假差分,單極輸入范圍(0-2.5V).
它能提供有附加字節(jié)模式的12位接口,很容易和8位處理器接口.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
它具有12位的分辨率,功耗僅有95mW.器件很適合用在需要高速和低功耗的高級(jí)應(yīng)用中如光網(wǎng)絡(luò),手提醫(yī)療系統(tǒng),高速數(shù)據(jù)采集,頻譜分析儀,圖像和通信.
ADS7881給用戶提供一種空前的解決方案,它在取樣速率4MHz下有12位的不丟失碼,線性度1LSB,失調(diào)電壓1.5mV,諧波失真-91dB,信噪比(SNR)71.5dB,功耗僅為95mW.
這是輸入信號(hào)頻率高達(dá)1.8MHz的高速數(shù)據(jù)采集的唯一的一種器件.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:900 V Id-連續(xù)漏極電流:36 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:120 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:270 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:417 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:21.1 mm 長(zhǎng)度:16.13 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.21 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時(shí)間:25 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:20 ns 240 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:400 ns 典型接通延遲時(shí)間:70 ns 零件號(hào)別名:IPW9R12C3XK SP000413750 IPW90R120C3FKSA1 單位重量:38 g
基于SAR的結(jié)構(gòu),與高速流水線和Delta-Sigma結(jié)構(gòu)不同,其優(yōu)點(diǎn)是沒有等待的轉(zhuǎn)換,因此很適合用作復(fù)接或伺服控制.
這些器件的直流性能,特別是失調(diào)和失調(diào)漂移,比目前可用的高速ADC要優(yōu)越得多.
由于ADS7881集成了基準(zhǔn)電壓源和基準(zhǔn)源緩沖器,給設(shè)計(jì)者提供了完整的解決方案.和其它許多高速ADC一樣,器件有假差分,單極輸入范圍(0-2.5V).
它能提供有附加字節(jié)模式的12位接口,很容易和8位處理器接口.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點(diǎn)擊
- 誤差矢量幅度(EVM)和相鄰信道功率比(AC
- 先進(jìn)的GAAFET 3nm制程芯片高功耗的直
- 自動(dòng)電平控制(ALC)及揚(yáng)聲器放大器的16位
- 200萬像素的360環(huán)視輸入到MAX9288
- D-CAP3內(nèi)部補(bǔ)償?shù)乃矐B(tài)響應(yīng)和線路和負(fù)載調(diào)
- 4MSPS的12位逐次逼近(SAR)的模數(shù)轉(zhuǎn)
- 14引腳和20引腳陶瓷扁平或SOIC封裝的電
- 東芝60V大電流光繼電器最大輸出電流0.5A
- 802.11b橋接語(yǔ)音應(yīng)用和VPN以及IPS
- 熱電二極管串聯(lián)電阻的ADC系列產(chǎn)品AD793
推薦技術(shù)資料
- MOSFET 電感單片降壓開關(guān)模式變換器優(yōu)勢(shì)
- SiC MOSFET 和 IG
- 新型 電隔離無芯線性霍爾效應(yīng)電
- 業(yè)界超小絕對(duì)位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- 高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術(shù)應(yīng)用探究
- MagAlpha 角度位置傳感
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究