漏源電壓Vdss達到65V,耗散功率Pd=38.9W
發(fā)布時間:2021/2/8 0:08:46 訪問次數(shù):715
Stratix II系列FPGA EP2S15到EP2S180系列,等效邏輯元件從15600到179400.它采用突破性的結(jié)構(gòu),在核內(nèi)有自適應(yīng)FPGA結(jié)構(gòu),從而有超級效率和高密度.
Stratix II FPGA的邏輯密度比單一器件的大一倍,和第一代的Stratix器件相比,速度快了50%.
這種最新的高密度FPGA結(jié)構(gòu)的效率比第一代的Stratix器件高25%,使設(shè)計者能把更多的功能集成在較小的邏輯面積.90nm制造技術(shù)和高效率結(jié)構(gòu)能得到最大的集成度,和以前的高密度結(jié)構(gòu)相比,極大地降低了成本.
Stratix II FPGA是業(yè)界最快的FPGA,內(nèi)部時鐘速率高達500MHz,典型的設(shè)計性能超過250MHz.
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UFQFPN-32 程序存儲器大小:16 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:48 MHz 數(shù)據(jù) RAM 大小:8 kB 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 程序存儲器類型:Flash 商標:STMicroelectronics 數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM 濕度敏感性:Yes 處理器系列:ARM Cortex M 產(chǎn)品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量2940 子類別:Microcontrollers - MCU 單位重量:1 g
AGRA10E的輸出功率也大于10W,頻率范圍從100MHz到1.0GHz.該器件采用金層金屬化,具有高度可靠性,高增益,高效率和線性度.
器件還集成了ESD保護,在輸出功率10W時能經(jīng)受10:1的電壓駐波比.
AGRB10E很適合用在460-472MHz的北歐移動電話(NMT),IS-95別865-895MHz的個人蜂窩電話,921-960MHz的GSM/EDGE手機和從100MHz到1GHz的功率轉(zhuǎn)換.漏源電壓Vdss達到65V,耗散功率Pd=38.9W.
功率增益可高達24dB,效率高達65%以上.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
Stratix II系列FPGA EP2S15到EP2S180系列,等效邏輯元件從15600到179400.它采用突破性的結(jié)構(gòu),在核內(nèi)有自適應(yīng)FPGA結(jié)構(gòu),從而有超級效率和高密度.
Stratix II FPGA的邏輯密度比單一器件的大一倍,和第一代的Stratix器件相比,速度快了50%.
這種最新的高密度FPGA結(jié)構(gòu)的效率比第一代的Stratix器件高25%,使設(shè)計者能把更多的功能集成在較小的邏輯面積.90nm制造技術(shù)和高效率結(jié)構(gòu)能得到最大的集成度,和以前的高密度結(jié)構(gòu)相比,極大地降低了成本.
Stratix II FPGA是業(yè)界最快的FPGA,內(nèi)部時鐘速率高達500MHz,典型的設(shè)計性能超過250MHz.
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UFQFPN-32 程序存儲器大小:16 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:48 MHz 數(shù)據(jù) RAM 大小:8 kB 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 程序存儲器類型:Flash 商標:STMicroelectronics 數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM 濕度敏感性:Yes 處理器系列:ARM Cortex M 產(chǎn)品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量2940 子類別:Microcontrollers - MCU 單位重量:1 g
AGRA10E的輸出功率也大于10W,頻率范圍從100MHz到1.0GHz.該器件采用金層金屬化,具有高度可靠性,高增益,高效率和線性度.
器件還集成了ESD保護,在輸出功率10W時能經(jīng)受10:1的電壓駐波比.
AGRB10E很適合用在460-472MHz的北歐移動電話(NMT),IS-95別865-895MHz的個人蜂窩電話,921-960MHz的GSM/EDGE手機和從100MHz到1GHz的功率轉(zhuǎn)換.漏源電壓Vdss達到65V,耗散功率Pd=38.9W.
功率增益可高達24dB,效率高達65%以上.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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