Xilinx在其編程、調(diào)試和跟蹤模塊組合中增加了一個新產(chǎn)品。SmartLynq+模塊是一個高速調(diào)試和跟蹤模塊，主要針對使用Versal™平臺的設(shè)計，它極大地提高了配置和跟蹤速度。

SmartLynq+模塊通過高速調(diào)試端口(HSDP)提供比SmartLynq數(shù)據(jù)電纜最多28倍的Linux下載時間。對于跟蹤捕獲，SmartLynq+模塊能夠通過HSDP以高達10Gb/s的速度運行。

這比標準的JTAG快100倍更快速的迭代和重復(fù)的下載可以提高開發(fā)生產(chǎn)力并減少設(shè)計周期。這意味著您不再需要將寶貴的時間花在調(diào)試上，而可以將精力集中在基于Versal的解決方案的啟動上。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:60 A Rds On-漏源導通電阻:16 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:54 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W 通道模式:Enhancement 商標名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 長度:10.4 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET 類型:MOSFET 寬度:4.6 mm 商標:STMicroelectronics 正向跨導 - 最小值:50 S 下降時間:20 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:65 ns 1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:45 ns 典型接通延遲時間:15 ns 單位重量:330 mg

10個新的650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。 Vishay Semiconductors器件采用合并的PIN肖特基（MPS）設(shè)計，旨在通過降低開關(guān)損耗來提高高頻應(yīng)用的效率，而不受溫度變化的影響，從而使二極管能夠在更高的溫度下工作。

今天發(fā)布的二極管的MPS設(shè)計可屏蔽來自肖特基勢壘的電場，以減少泄漏電流，同時通過空穴注入提高浪涌電流能力。

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