DDR5 DIMM新架構(gòu)獨立的32位通道的緩沖電容器
發(fā)布時間:2021/3/17 23:59:13 訪問次數(shù):474
ModCap 采用特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計,能最大限度減小雜散電感,整個系列的電感值均不超過 14 nH。新穎的設(shè)計還使其能靠近 IGBT 模塊安裝,最大限度縮短了引線。
加上低至 14 nH 的超低自感,可確保在斷電時有效防止 IGBT 模塊上出現(xiàn)明顯電壓過沖。因此,一般情況下就無需額外的緩沖電容器。
ModCap 凝聚了 TDK 在 AD-HOC 樹脂填充解決方案領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和知識,采用智能金屬型材,可最大化自愈能力,同時能處理高電流密度并控制損耗。
制造商: Microchip
產(chǎn)品種類: 8位微控制器 -MCU
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: PIC18(L)F2xK40
封裝 / 箱體: QFN-28
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
商標(biāo): Microchip Technology
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: 8-bit Microcontrollers - MCU
工廠包裝數(shù)量: 1600
子類別: Microcontrollers - MCU
商標(biāo)名: PIC
單位重量: 643.841 mg
在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運算能力上,Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯碼(ECC),全面實現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯能力,進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)完整性,同時也緩解了系統(tǒng)錯誤校正負(fù)擔(dān)并充分利用DRAM讀寫的高效機制。
BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍,信號能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個完全獨立的32位通道,提高了并發(fā)性,并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
ModCap 采用特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計,能最大限度減小雜散電感,整個系列的電感值均不超過 14 nH。新穎的設(shè)計還使其能靠近 IGBT 模塊安裝,最大限度縮短了引線。
加上低至 14 nH 的超低自感,可確保在斷電時有效防止 IGBT 模塊上出現(xiàn)明顯電壓過沖。因此,一般情況下就無需額外的緩沖電容器。
ModCap 凝聚了 TDK 在 AD-HOC 樹脂填充解決方案領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和知識,采用智能金屬型材,可最大化自愈能力,同時能處理高電流密度并控制損耗。
制造商: Microchip
產(chǎn)品種類: 8位微控制器 -MCU
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: PIC18(L)F2xK40
封裝 / 箱體: QFN-28
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
商標(biāo): Microchip Technology
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: 8-bit Microcontrollers - MCU
工廠包裝數(shù)量: 1600
子類別: Microcontrollers - MCU
商標(biāo)名: PIC
單位重量: 643.841 mg
在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運算能力上,Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯碼(ECC),全面實現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯能力,進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)完整性,同時也緩解了系統(tǒng)錯誤校正負(fù)擔(dān)并充分利用DRAM讀寫的高效機制。
BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍,信號能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個完全獨立的32位通道,提高了并發(fā)性,并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點擊
- ST ART Accelerator的最新功
- S2-LP射頻收發(fā)器通信頻段868.3MHz
- GSM功率放大器(PA)模塊中常用的外部轉(zhuǎn)換
- 高溫晶體閘流管產(chǎn)品結(jié)點溫度可達(dá)到150oC
- 加速TensorFlow Lite模型高效運
- -20°C至+70°C電磁干擾(EMI)和靜
- DDR5 DIMM新架構(gòu)獨立的32位通道的緩
- 40nm RFCMOS的汽車級雷達(dá)收發(fā)器線性
- 內(nèi)核速度最快的片上集成閃存的MCU安全芯片的
- ITS應(yīng)用的900萬像素高分辨率Global
推薦技術(shù)資料
- 業(yè)余條件下PCM2702
- PGM2702采用SSOP28封裝,引腳小而密,EP3... [詳細(xì)]
- MOSFET 電感單片降壓開關(guān)模式變換器優(yōu)勢
- SiC MOSFET 和 IG
- 新型 電隔離無芯線性霍爾效應(yīng)電
- 業(yè)界超小絕對位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- 高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術(shù)應(yīng)用探究
- MagAlpha 角度位置傳感
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究