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CSM2F大功率電流感電阻器75A整流器反向恢復(fù)性能

發(fā)布時(shí)間:2021/4/2 12:38:10 訪問(wèn)次數(shù):469

10款新型第五代FRED Pt® 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器。

這些Vishay新款15 A、30 A、60 A和75 A整流器具有出色反向恢復(fù)性能,提高AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器以及軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。

日前發(fā)布的整流器反向恢復(fù)損耗比緊隨其后的競(jìng)品器件低30 %,比前代FRED Pt解決方案低48 %,同時(shí)導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗低,從而提高電動(dòng) / 混合動(dòng)力汽車(chē)(EV / HEV)電池充電站高速LLC輸出整流端,以及UPS應(yīng)用高頻級(jí)輕載和滿載效率。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 18 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 38 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 9.1 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 29 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 8 S

下降時(shí)間: 2 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 1.8 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 9.1 ns

典型接通延遲時(shí)間: 4.3 ns

零件號(hào)別名: BSZ44N1NS3GXT SP000482442 BSZ440N10NS3GATMA1

單位重量: 100 mg

在開(kāi)發(fā)無(wú)線產(chǎn)品時(shí)出現(xiàn)的技術(shù)問(wèn)題,可以用其SASP技術(shù)生產(chǎn)的單一封裝來(lái)解決。

模塊周?chē)?"手持區(qū)域"就不再需要了,電池和傳感器等模塊外圍部件的布置程度也得到了提高。目前的技術(shù)用于制造屏蔽封裝,使其生產(chǎn)成本更低。

新增九款全新符合AEC-Q200規(guī)范CSM2F大功率電流感電阻器系列。

Bourns該系列產(chǎn)品不僅高效、可靠且符合成本效益,是專為電池管理系統(tǒng)(BMS)、工業(yè)控制及其他大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確測(cè)量解決方案。



(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

10款新型第五代FRED Pt® 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器。

這些Vishay新款15 A、30 A、60 A和75 A整流器具有出色反向恢復(fù)性能,提高AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器以及軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。

日前發(fā)布的整流器反向恢復(fù)損耗比緊隨其后的競(jìng)品器件低30 %,比前代FRED Pt解決方案低48 %,同時(shí)導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗低,從而提高電動(dòng) / 混合動(dòng)力汽車(chē)(EV / HEV)電池充電站高速LLC輸出整流端,以及UPS應(yīng)用高頻級(jí)輕載和滿載效率。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 18 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 38 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 9.1 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 29 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 8 S

下降時(shí)間: 2 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 1.8 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 9.1 ns

典型接通延遲時(shí)間: 4.3 ns

零件號(hào)別名: BSZ44N1NS3GXT SP000482442 BSZ440N10NS3GATMA1

單位重量: 100 mg

在開(kāi)發(fā)無(wú)線產(chǎn)品時(shí)出現(xiàn)的技術(shù)問(wèn)題,可以用其SASP技術(shù)生產(chǎn)的單一封裝來(lái)解決。

模塊周?chē)?"手持區(qū)域"就不再需要了,電池和傳感器等模塊外圍部件的布置程度也得到了提高。目前的技術(shù)用于制造屏蔽封裝,使其生產(chǎn)成本更低。

新增九款全新符合AEC-Q200規(guī)范CSM2F大功率電流感電阻器系列。

Bourns該系列產(chǎn)品不僅高效、可靠且符合成本效益,是專為電池管理系統(tǒng)(BMS)、工業(yè)控制及其他大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確測(cè)量解決方案。



(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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