CSM2F大功率電流感電阻器75A整流器反向恢復(fù)性能
發(fā)布時(shí)間:2021/4/2 12:38:10 訪問(wèn)次數(shù):469
10款新型第五代FRED Pt® 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器。
這些Vishay新款15 A、30 A、60 A和75 A整流器具有出色反向恢復(fù)性能,提高AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器以及軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。
日前發(fā)布的整流器反向恢復(fù)損耗比緊隨其后的競(jìng)品器件低30 %,比前代FRED Pt解決方案低48 %,同時(shí)導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗低,從而提高電動(dòng) / 混合動(dòng)力汽車(chē)(EV / HEV)電池充電站高速LLC輸出整流端,以及UPS應(yīng)用高頻級(jí)輕載和滿載效率。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 18 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 38 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 9.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 29 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 8 S
下降時(shí)間: 2 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 1.8 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 9.1 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4.3 ns
零件號(hào)別名: BSZ44N1NS3GXT SP000482442 BSZ440N10NS3GATMA1
單位重量: 100 mg

模塊周?chē)?"手持區(qū)域"就不再需要了,電池和傳感器等模塊外圍部件的布置程度也得到了提高。目前的技術(shù)用于制造屏蔽封裝,使其生產(chǎn)成本更低。
新增九款全新符合AEC-Q200規(guī)范CSM2F大功率電流感電阻器系列。
Bourns該系列產(chǎn)品不僅高效、可靠且符合成本效益,是專為電池管理系統(tǒng)(BMS)、工業(yè)控制及其他大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確測(cè)量解決方案。
10款新型第五代FRED Pt® 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器。
這些Vishay新款15 A、30 A、60 A和75 A整流器具有出色反向恢復(fù)性能,提高AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器以及軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。
日前發(fā)布的整流器反向恢復(fù)損耗比緊隨其后的競(jìng)品器件低30 %,比前代FRED Pt解決方案低48 %,同時(shí)導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗低,從而提高電動(dòng) / 混合動(dòng)力汽車(chē)(EV / HEV)電池充電站高速LLC輸出整流端,以及UPS應(yīng)用高頻級(jí)輕載和滿載效率。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 18 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 38 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 9.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 29 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 8 S
下降時(shí)間: 2 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 1.8 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 9.1 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4.3 ns
零件號(hào)別名: BSZ44N1NS3GXT SP000482442 BSZ440N10NS3GATMA1
單位重量: 100 mg

模塊周?chē)?"手持區(qū)域"就不再需要了,電池和傳感器等模塊外圍部件的布置程度也得到了提高。目前的技術(shù)用于制造屏蔽封裝,使其生產(chǎn)成本更低。
新增九款全新符合AEC-Q200規(guī)范CSM2F大功率電流感電阻器系列。
Bourns該系列產(chǎn)品不僅高效、可靠且符合成本效益,是專為電池管理系統(tǒng)(BMS)、工業(yè)控制及其他大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確測(cè)量解決方案。
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