數(shù)字車鑰匙(Digital Car Key)模塊近距離無線通信技術(shù)UWB
發(fā)布時(shí)間:2021/4/2 12:45:39 訪問次數(shù):1453
應(yīng)用超寬帶 (Ultra Wideband) 技術(shù)
位置識別準(zhǔn)確度達(dá)到行業(yè)內(nèi)最高水平,提高了安全性
開發(fā)出提高了位置識別準(zhǔn)確度與安全性的“數(shù)字車鑰匙 (Digital Car Key) 模塊”。
LG Innotek 開發(fā)的“數(shù)字車鑰匙模塊”。該模塊感應(yīng)智能手機(jī)位置的準(zhǔn)確性約為現(xiàn)有產(chǎn)品的 5 倍,安全性也進(jìn)一步提高了。
“數(shù)字車鑰匙模塊”是裝載于車輛上,實(shí)現(xiàn)汽車與智能手機(jī)之間無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ㄐ排浼?/span>
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 23 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 27 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 9.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 32 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 8 S
下降時(shí)間: 2 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 3 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 11 ns
典型接通延遲時(shí)間: 8 ns
零件號別名: SP000443634 BSZ34N8NS3GXT BSZ340N08NS3GATMA1
單位重量: 100 mg

駕駛者不僅可以利用智能手機(jī)控制車輛,還可以一目了然地掌握行駛距離,燃油費(fèi),輪胎氣壓等車輛狀態(tài)。
此次 LG Innotek 開發(fā)的“數(shù)字車鑰匙模塊”采用了近距離無線通信技術(shù) UWB(Ultra Wideband,超寬帶)技術(shù)與獨(dú)家算法,提高了位置識別準(zhǔn)確性。
與此同時(shí),憑借自主防通信黑客技術(shù)提高了安全性,這也是其一大優(yōu)點(diǎn)。
對于一些應(yīng)用,比如說高壓信號需要路由到交替點(diǎn)、極性反轉(zhuǎn)、電容器充電或放電,高壓轉(zhuǎn)換繼電器(SPDT/C型)將是理想的解決方案。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
應(yīng)用超寬帶 (Ultra Wideband) 技術(shù)
位置識別準(zhǔn)確度達(dá)到行業(yè)內(nèi)最高水平,提高了安全性
開發(fā)出提高了位置識別準(zhǔn)確度與安全性的“數(shù)字車鑰匙 (Digital Car Key) 模塊”。
LG Innotek 開發(fā)的“數(shù)字車鑰匙模塊”。該模塊感應(yīng)智能手機(jī)位置的準(zhǔn)確性約為現(xiàn)有產(chǎn)品的 5 倍,安全性也進(jìn)一步提高了。
“數(shù)字車鑰匙模塊”是裝載于車輛上,實(shí)現(xiàn)汽車與智能手機(jī)之間無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ㄐ排浼?/span>
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 23 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 27 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 9.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 32 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 8 S
下降時(shí)間: 2 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 3 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 11 ns
典型接通延遲時(shí)間: 8 ns
零件號別名: SP000443634 BSZ34N8NS3GXT BSZ340N08NS3GATMA1
單位重量: 100 mg

駕駛者不僅可以利用智能手機(jī)控制車輛,還可以一目了然地掌握行駛距離,燃油費(fèi),輪胎氣壓等車輛狀態(tài)。
此次 LG Innotek 開發(fā)的“數(shù)字車鑰匙模塊”采用了近距離無線通信技術(shù) UWB(Ultra Wideband,超寬帶)技術(shù)與獨(dú)家算法,提高了位置識別準(zhǔn)確性。
與此同時(shí),憑借自主防通信黑客技術(shù)提高了安全性,這也是其一大優(yōu)點(diǎn)。
對于一些應(yīng)用,比如說高壓信號需要路由到交替點(diǎn)、極性反轉(zhuǎn)、電容器充電或放電,高壓轉(zhuǎn)換繼電器(SPDT/C型)將是理想的解決方案。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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