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數(shù)字車鑰匙(Digital Car Key)模塊近距離無線通信技術(shù)UWB

發(fā)布時(shí)間:2021/4/2 12:45:39 訪問次數(shù):1453

應(yīng)用超寬帶 (Ultra Wideband) 技術(shù)

位置識別準(zhǔn)確度達(dá)到行業(yè)內(nèi)最高水平,提高了安全性

開發(fā)出提高了位置識別準(zhǔn)確度與安全性的“數(shù)字車鑰匙 (Digital Car Key) 模塊”。

LG Innotek 開發(fā)的“數(shù)字車鑰匙模塊”。該模塊感應(yīng)智能手機(jī)位置的準(zhǔn)確性約為現(xiàn)有產(chǎn)品的 5 倍,安全性也進(jìn)一步提高了。

“數(shù)字車鑰匙模塊”是裝載于車輛上,實(shí)現(xiàn)汽車與智能手機(jī)之間無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ㄐ排浼?/span>

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 23 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 27 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 9.1 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 32 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 8 S

下降時(shí)間: 2 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 3 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 11 ns

典型接通延遲時(shí)間: 8 ns

零件號別名: SP000443634 BSZ34N8NS3GXT BSZ340N08NS3GATMA1

單位重量: 100 mg


駕駛者不僅可以利用智能手機(jī)控制車輛,還可以一目了然地掌握行駛距離,燃油費(fèi),輪胎氣壓等車輛狀態(tài)。

此次 LG Innotek 開發(fā)的“數(shù)字車鑰匙模塊”采用了近距離無線通信技術(shù) UWB(Ultra Wideband,超寬帶)技術(shù)與獨(dú)家算法,提高了位置識別準(zhǔn)確性。

與此同時(shí),憑借自主防通信黑客技術(shù)提高了安全性,這也是其一大優(yōu)點(diǎn)。

對于一些應(yīng)用,比如說高壓信號需要路由到交替點(diǎn)、極性反轉(zhuǎn)、電容器充電或放電,高壓轉(zhuǎn)換繼電器(SPDT/C型)將是理想的解決方案。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

應(yīng)用超寬帶 (Ultra Wideband) 技術(shù)

位置識別準(zhǔn)確度達(dá)到行業(yè)內(nèi)最高水平,提高了安全性

開發(fā)出提高了位置識別準(zhǔn)確度與安全性的“數(shù)字車鑰匙 (Digital Car Key) 模塊”。

LG Innotek 開發(fā)的“數(shù)字車鑰匙模塊”。該模塊感應(yīng)智能手機(jī)位置的準(zhǔn)確性約為現(xiàn)有產(chǎn)品的 5 倍,安全性也進(jìn)一步提高了。

“數(shù)字車鑰匙模塊”是裝載于車輛上,實(shí)現(xiàn)汽車與智能手機(jī)之間無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ㄐ排浼?/span>

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 23 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 27 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 9.1 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 32 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 8 S

下降時(shí)間: 2 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 3 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 11 ns

典型接通延遲時(shí)間: 8 ns

零件號別名: SP000443634 BSZ34N8NS3GXT BSZ340N08NS3GATMA1

單位重量: 100 mg


駕駛者不僅可以利用智能手機(jī)控制車輛,還可以一目了然地掌握行駛距離,燃油費(fèi),輪胎氣壓等車輛狀態(tài)。

此次 LG Innotek 開發(fā)的“數(shù)字車鑰匙模塊”采用了近距離無線通信技術(shù) UWB(Ultra Wideband,超寬帶)技術(shù)與獨(dú)家算法,提高了位置識別準(zhǔn)確性。

與此同時(shí),憑借自主防通信黑客技術(shù)提高了安全性,這也是其一大優(yōu)點(diǎn)。

對于一些應(yīng)用,比如說高壓信號需要路由到交替點(diǎn)、極性反轉(zhuǎn)、電容器充電或放電,高壓轉(zhuǎn)換繼電器(SPDT/C型)將是理想的解決方案。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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