5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和導(dǎo)航系統(tǒng)以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統(tǒng)的引導(dǎo)代碼、數(shù)據(jù)記錄和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。英飛凌還提供晶圓銷售，以支持封裝系統(tǒng)。

新一代nvSRAM擴(kuò)展了英飛凌在電荷阱型存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

我們nvSRAM系列中新增的這些符合QML-Q規(guī)范的高可靠性工業(yè)用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲(chǔ)器的惡劣工作環(huán)境提供解決方案。

英飛凌的nvSRAM技術(shù)將高性能SRAM與一流的SONOS非易失性技術(shù)相結(jié)合。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V

Qg-柵極電荷: 14.1 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

晶體管類型: 1 N-Channel

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 26 S

下降時(shí)間: 5.8 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 4.8 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 24.6 ns

典型接通延遲時(shí)間: 6.1 ns

零件號(hào)別名: BSZ0602LS SP001589450

數(shù)字鑰匙是可以使用智能手機(jī)打開車門、鎖車門、啟動(dòng)汽車的新一代車鑰匙。

利用應(yīng)用程序?qū)?shù)字鑰匙借給他人，還可以僅允許控制打開和關(guān)閉后備箱等特定功能。無(wú)需隨身攜帶鑰匙，不必?fù)?dān)心遺失車鑰匙，智能手機(jī)位于車內(nèi)才可行駛，因此車輛被盜的危險(xiǎn)較小。

共享汽車、租車等汽車共享產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展，對(duì)數(shù)字車鑰匙模塊的需求逐年增加。

但現(xiàn)有數(shù)字車鑰匙模塊識(shí)別智能手機(jī)位置的準(zhǔn)確性較低，且存在通信黑客等安全性能方面的擔(dān)憂，因此難以應(yīng)用。

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