第二代非易失性靜態(tài)RAM（nvSRAM）。

新一代器件已通過(guò)QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。

256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引腳300mil雙列直插式陶瓷封裝，符合MIL-PRF-38535 QML-Q規(guī)格（-55°C至125°C）和英飛凌的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（-40 °C至85°C）。

在正常工作條件下，nvSRAM的作用類似于傳統(tǒng)的異步SRAM。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 23 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 34 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 6.8 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 32 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 8 S

下降時(shí)間: 2 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 3 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 11 ns

典型接通延遲時(shí)間: 8 ns

零件號(hào)別名: BSZ340N08NS3 G SP000443634

單位重量: 200 mg

整流器采用TO-220AC和TO-247AD封裝，X型為Hyperfast超高速恢復(fù)整流器，H型為Ultrafast超快恢復(fù)整流器。

X型整流器的優(yōu)點(diǎn)是QRR低，H型整流器的優(yōu)點(diǎn)是正向壓降低。器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，工作結(jié)溫達(dá)到+175 °C。

健康監(jiān)測(cè)和運(yùn)動(dòng)分析是以智能手表和耳戴設(shè)備為中心的可穿戴設(shè)備市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力--2020年第二季度全球出貨量同比增長(zhǎng)14.1%，達(dá)到8616萬(wàn)臺(tái)，而在日本，出貨量為1406萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng)8.1%。

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