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Icron固定長度USB擴展器的全新技術的異步SRAM

發(fā)布時間:2021/4/2 13:22:30 訪問次數(shù):440

Starling 3251C通過USB-C接口提供后向兼容的USB 3-2-1擴展,擴展長度為10m,使用可拆卸的定制銅纜。3251C提供CM和阻燃級型號,允許穿過阻燃空間布線。

USB 3-2-1 Starling 3251C代表了Icron固定長度USB擴展器的全新技術。

由于其較低的擁有成本、較高的市場需求,例如USB總線供電和阻燃等級,以及IcronUSB設備互操作性的良好聲譽,我們非常自豪能夠為集成商提供可靠的近距離擴展方案。

與有源光纖方案相比,這種電纜的可靠性更高,包括用于管道布線的電纜拉眼工具。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V

Id-連續(xù)漏極電流: 37 A

Rds On-漏源導通電阻: 21 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 66 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 15 S

下降時間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 13 ns

典型接通延遲時間: 9 ns

零件號別名: BSZ24N12NS3GXT SP000819814 BSZ240N12NS3GATMA1

單位重量: 38.760 mg


在正常工作條件下,nvSRAM的作用類似于傳統(tǒng)的異步SRAM。

斷電時,nvSRAM會自動將SRAM數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲器中,該數(shù)據(jù)的保護期限超過20年。英飛凌已交付超過20億顆基于SONOS的非易失性嵌入式或獨立存儲器。

新款1 C型轉(zhuǎn)換繼電器,這一新設計既節(jié)省了空間,又簡化了設計。

LG Innotek 將憑借“數(shù)字車鑰匙模塊”積極進軍新一代車輛通信配件市場。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

Starling 3251C通過USB-C接口提供后向兼容的USB 3-2-1擴展,擴展長度為10m,使用可拆卸的定制銅纜。3251C提供CM和阻燃級型號,允許穿過阻燃空間布線。

USB 3-2-1 Starling 3251C代表了Icron固定長度USB擴展器的全新技術。

由于其較低的擁有成本、較高的市場需求,例如USB總線供電和阻燃等級,以及IcronUSB設備互操作性的良好聲譽,我們非常自豪能夠為集成商提供可靠的近距離擴展方案。

與有源光纖方案相比,這種電纜的可靠性更高,包括用于管道布線的電纜拉眼工具。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V

Id-連續(xù)漏極電流: 37 A

Rds On-漏源導通電阻: 21 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 66 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 15 S

下降時間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 4 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 13 ns

典型接通延遲時間: 9 ns

零件號別名: BSZ24N12NS3GXT SP000819814 BSZ240N12NS3GATMA1

單位重量: 38.760 mg


在正常工作條件下,nvSRAM的作用類似于傳統(tǒng)的異步SRAM。

斷電時,nvSRAM會自動將SRAM數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲器中,該數(shù)據(jù)的保護期限超過20年。英飛凌已交付超過20億顆基于SONOS的非易失性嵌入式或獨立存儲器。

新款1 C型轉(zhuǎn)換繼電器,這一新設計既節(jié)省了空間,又簡化了設計。

LG Innotek 將憑借“數(shù)字車鑰匙模塊”積極進軍新一代車輛通信配件市場。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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