UMT-H保險(xiǎn)絲的延時(shí)特性使其可耐受高涌流和脈沖電流

發(fā)布時(shí)間:2021/4/7 8:35:20 訪問次數(shù):393

UMT-H系列產(chǎn)品經(jīng)過不斷發(fā)展演變，目前已經(jīng)推出了額定電流更高的型號(hào)，以在電池供電應(yīng)用中進(jìn)行二次保護(hù)。

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，從發(fā)動(dòng)機(jī)到依賴于蓄能器的各種新興應(yīng)用以及各種常規(guī)應(yīng)用。

UMT-H為能源、數(shù)據(jù)、醫(yī)療、工業(yè)控制和汽車等行業(yè)的諸多應(yīng)用提供了一個(gè)綜合性的理想解決方案。該系列產(chǎn)品也不滲透保形涂料，所以非常適合應(yīng)用于危險(xiǎn)環(huán)境中的ATEx和IECEx認(rèn)證設(shè)備。

按照特定的焊接寬度對(duì)UMT-H進(jìn)行了多種分?jǐn)嗄芰y(cè)量。環(huán)境溫度允許范圍為-55°C到125°C。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V

Qg-柵極電荷: 14.1 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長(zhǎng)度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 26 S

下降時(shí)間: 5.8 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 4.8 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 24.6 ns

典型接通延遲時(shí)間: 6.1 ns

零件號(hào)別名: BSZ070N08LS5 SP001352992

單位重量: 36.760 mg

額定電壓的最大值為277 VAC / 250 VDC，額定電流最高達(dá)6.3A，其額定分?jǐn)嗄芰筛哌_(dá)1500A。UMT-H系列保險(xiǎn)絲的延時(shí)特性使其可耐受高涌流和脈沖電流。

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