26.5GHz的組件射頻電纜和通信系統(tǒng)
發(fā)布時(shí)間:2021/4/8 13:17:38 訪問(wèn)次數(shù):207
隨著汽車(chē)制造商不斷探索實(shí)現(xiàn)智能攝像頭應(yīng)用的新方法,駕駛員監(jiān)控、泊車(chē)輔助、駕駛員識(shí)別和乘客感應(yīng)等智能系統(tǒng)應(yīng)用日益普及,促進(jìn)了對(duì)深度學(xué)習(xí)功能的更高需求。
升級(jí)后的SoC使R-Car V3H用戶可靈活、簡(jiǎn)便且經(jīng)濟(jì)高效地獲得更高計(jì)算機(jī)視覺(jué)性能,并打造下一代前置攝像頭系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)視覺(jué)。
瑞薩針對(duì)ADAS和高度自動(dòng)駕駛應(yīng)用的開(kāi)放式、可擴(kuò)展SoC平臺(tái)不斷發(fā)展壯大,我們很榮幸可以依托該平臺(tái)持續(xù)為客戶帶來(lái)前沿創(chuàng)新。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 37 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 39 S, 20 S
下降時(shí)間: 5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 40 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns
典型接通延遲時(shí)間: 15 ns
零件號(hào)別名: BSZ76N6NS3GXT SP000454420 BSZ076N06NS3GATMA1
單位重量: 76 mg
手持式雙端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,頻率范圍可擴(kuò)展至26.5 GHz,在標(biāo)準(zhǔn)配置下可進(jìn)行電纜和天線分析以及完整的S參數(shù)測(cè)量。
R&S ZNH易于使用和配置,并具有緊湊的無(wú)風(fēng)扇外殼,適合現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用。
R&S ZNH手持式矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀可幫助檢測(cè)出有缺陷的射頻電纜和通信系統(tǒng)組件,從而及時(shí)糾正。它還可以在現(xiàn)場(chǎng)和實(shí)驗(yàn)室中測(cè)量頻率最高至26.5 GHz的組件。
R&S ZNH標(biāo)配的基本功能,包括電纜和天線測(cè)量以及完整的雙端口S參數(shù)測(cè)量。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
隨著汽車(chē)制造商不斷探索實(shí)現(xiàn)智能攝像頭應(yīng)用的新方法,駕駛員監(jiān)控、泊車(chē)輔助、駕駛員識(shí)別和乘客感應(yīng)等智能系統(tǒng)應(yīng)用日益普及,促進(jìn)了對(duì)深度學(xué)習(xí)功能的更高需求。
升級(jí)后的SoC使R-Car V3H用戶可靈活、簡(jiǎn)便且經(jīng)濟(jì)高效地獲得更高計(jì)算機(jī)視覺(jué)性能,并打造下一代前置攝像頭系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)視覺(jué)。
瑞薩針對(duì)ADAS和高度自動(dòng)駕駛應(yīng)用的開(kāi)放式、可擴(kuò)展SoC平臺(tái)不斷發(fā)展壯大,我們很榮幸可以依托該平臺(tái)持續(xù)為客戶帶來(lái)前沿創(chuàng)新。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 37 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 3.3 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 39 S, 20 S
下降時(shí)間: 5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 40 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns
典型接通延遲時(shí)間: 15 ns
零件號(hào)別名: BSZ76N6NS3GXT SP000454420 BSZ076N06NS3GATMA1
單位重量: 76 mg
手持式雙端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,頻率范圍可擴(kuò)展至26.5 GHz,在標(biāo)準(zhǔn)配置下可進(jìn)行電纜和天線分析以及完整的S參數(shù)測(cè)量。
R&S ZNH易于使用和配置,并具有緊湊的無(wú)風(fēng)扇外殼,適合現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用。
R&S ZNH手持式矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀可幫助檢測(cè)出有缺陷的射頻電纜和通信系統(tǒng)組件,從而及時(shí)糾正。它還可以在現(xiàn)場(chǎng)和實(shí)驗(yàn)室中測(cè)量頻率最高至26.5 GHz的組件。
R&S ZNH標(biāo)配的基本功能,包括電纜和天線測(cè)量以及完整的雙端口S參數(shù)測(cè)量。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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