浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

位置:51電子網(wǎng) » 技術(shù)資料 » EDA/PLD

EVE降壓或升壓轉(zhuǎn)換器芯片BT817的高精度特性

發(fā)布時間:2021/4/9 17:32:18 訪問次數(shù):500

Bridgetek的最新一代嵌入式視頻引擎(EVE)圖形控制器獲得了高度認(rèn)可。

依靠最近發(fā)布的EVE芯片BT817,領(lǐng)先的光電制造商Riverdi推出了一個新的顯示器系列。這些工業(yè)級顯示器的目標(biāo)是具有挑戰(zhàn)性的高端應(yīng)用,但定位于與商業(yè)級產(chǎn)品等同的具有吸引力的價位。

由于BT817芯片的高精度特性,新的Riverdi顯示器能夠支持到1280x800的像素分辨率。

而將顯示的內(nèi)容視為一系列對象的做法可以顯著減少所涉及的數(shù)據(jù)開銷。這樣就轉(zhuǎn)化為一個極為精簡的解決方案,大大減少了組件數(shù)量,加快了響應(yīng)速度。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    49 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    6.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    10 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    26 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   34 S  

下降時間:   2.4 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   3.4 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   12 ns  

典型接通延遲時間:   2.5 ns  

零件號別名:  SP000799084 BSZ65N3LSXT BSZ065N03LSATMA1  

單位重量:  100 mg

UCC28810/11可控制反激,降壓或升壓轉(zhuǎn)換器.

它還集成了用來處理反饋誤差的跨導(dǎo)電壓放大器,用來產(chǎn)生正比于輸入電壓的電流基準(zhǔn)發(fā)生器,電流檢測(PWM)比較器,PWM邏輯以及用來驅(qū)動外接FET的圖騰柱驅(qū)動器.

先進(jìn)的單電源工藝能提供成本效率的性能,從而改善了低電壓功放應(yīng)用中崎嶇不平的途徑。

HIIPA和E-模式工藝結(jié)合起來是要用來改善MMM5062的特性。這種模塊支持GSM850/900,DCS1800和PCS1900的四頻帶應(yīng)用。它也為10類 GPRS工作而設(shè)計。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

Bridgetek的最新一代嵌入式視頻引擎(EVE)圖形控制器獲得了高度認(rèn)可。

依靠最近發(fā)布的EVE芯片BT817,領(lǐng)先的光電制造商Riverdi推出了一個新的顯示器系列。這些工業(yè)級顯示器的目標(biāo)是具有挑戰(zhàn)性的高端應(yīng)用,但定位于與商業(yè)級產(chǎn)品等同的具有吸引力的價位。

由于BT817芯片的高精度特性,新的Riverdi顯示器能夠支持到1280x800的像素分辨率。

而將顯示的內(nèi)容視為一系列對象的做法可以顯著減少所涉及的數(shù)據(jù)開銷。這樣就轉(zhuǎn)化為一個極為精簡的解決方案,大大減少了組件數(shù)量,加快了響應(yīng)速度。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    49 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    6.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    10 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    26 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   34 S  

下降時間:   2.4 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   3.4 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   12 ns  

典型接通延遲時間:   2.5 ns  

零件號別名:  SP000799084 BSZ65N3LSXT BSZ065N03LSATMA1  

單位重量:  100 mg

UCC28810/11可控制反激,降壓或升壓轉(zhuǎn)換器.

它還集成了用來處理反饋誤差的跨導(dǎo)電壓放大器,用來產(chǎn)生正比于輸入電壓的電流基準(zhǔn)發(fā)生器,電流檢測(PWM)比較器,PWM邏輯以及用來驅(qū)動外接FET的圖騰柱驅(qū)動器.

先進(jìn)的單電源工藝能提供成本效率的性能,從而改善了低電壓功放應(yīng)用中崎嶇不平的途徑。

HIIPA和E-模式工藝結(jié)合起來是要用來改善MMM5062的特性。這種模塊支持GSM850/900,DCS1800和PCS1900的四頻帶應(yīng)用。它也為10類 GPRS工作而設(shè)計。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

熱門點擊

 

推薦技術(shù)資料

聲道前級設(shè)計特點
    與通常的Hi-Fi前級不同,EP9307-CRZ這臺分... [詳細(xì)]
版權(quán)所有:51dzw.COM
深圳服務(wù)熱線:13692101218  13751165337
粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn)
公網(wǎng)安備44030402000607
深圳市碧威特網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司
付款方式


 復(fù)制成功!