EVE降壓或升壓轉(zhuǎn)換器芯片BT817的高精度特性
發(fā)布時(shí)間:2021/4/9 17:32:18 訪問(wèn)次數(shù):501
Bridgetek的最新一代嵌入式視頻引擎(EVE)圖形控制器獲得了高度認(rèn)可。
依靠最近發(fā)布的EVE芯片BT817,領(lǐng)先的光電制造商Riverdi推出了一個(gè)新的顯示器系列。這些工業(yè)級(jí)顯示器的目標(biāo)是具有挑戰(zhàn)性的高端應(yīng)用,但定位于與商業(yè)級(jí)產(chǎn)品等同的具有吸引力的價(jià)位。
由于BT817芯片的高精度特性,新的Riverdi顯示器能夠支持到1280x800的像素分辨率。
而將顯示的內(nèi)容視為一系列對(duì)象的做法可以顯著減少所涉及的數(shù)據(jù)開(kāi)銷。這樣就轉(zhuǎn)化為一個(gè)極為精簡(jiǎn)的解決方案,大大減少了組件數(shù)量,加快了響應(yīng)速度。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 49 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 10 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 26 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 3.3 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 34 S
下降時(shí)間: 2.4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 3.4 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns
典型接通延遲時(shí)間: 2.5 ns
零件號(hào)別名: SP000799084 BSZ65N3LSXT BSZ065N03LSATMA1
單位重量: 100 mg

UCC28810/11可控制反激,降壓或升壓轉(zhuǎn)換器.
它還集成了用來(lái)處理反饋誤差的跨導(dǎo)電壓放大器,用來(lái)產(chǎn)生正比于輸入電壓的電流基準(zhǔn)發(fā)生器,電流檢測(cè)(PWM)比較器,PWM邏輯以及用來(lái)驅(qū)動(dòng)外接FET的圖騰柱驅(qū)動(dòng)器.
先進(jìn)的單電源工藝能提供成本效率的性能,從而改善了低電壓功放應(yīng)用中崎嶇不平的途徑。
HIIPA和E-模式工藝結(jié)合起來(lái)是要用來(lái)改善MMM5062的特性。這種模塊支持GSM850/900,DCS1800和PCS1900的四頻帶應(yīng)用。它也為10類 GPRS工作而設(shè)計(jì)。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
Bridgetek的最新一代嵌入式視頻引擎(EVE)圖形控制器獲得了高度認(rèn)可。
依靠最近發(fā)布的EVE芯片BT817,領(lǐng)先的光電制造商Riverdi推出了一個(gè)新的顯示器系列。這些工業(yè)級(jí)顯示器的目標(biāo)是具有挑戰(zhàn)性的高端應(yīng)用,但定位于與商業(yè)級(jí)產(chǎn)品等同的具有吸引力的價(jià)位。
由于BT817芯片的高精度特性,新的Riverdi顯示器能夠支持到1280x800的像素分辨率。
而將顯示的內(nèi)容視為一系列對(duì)象的做法可以顯著減少所涉及的數(shù)據(jù)開(kāi)銷。這樣就轉(zhuǎn)化為一個(gè)極為精簡(jiǎn)的解決方案,大大減少了組件數(shù)量,加快了響應(yīng)速度。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 49 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 10 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 26 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 3.3 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 34 S
下降時(shí)間: 2.4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 3.4 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns
典型接通延遲時(shí)間: 2.5 ns
零件號(hào)別名: SP000799084 BSZ65N3LSXT BSZ065N03LSATMA1
單位重量: 100 mg

UCC28810/11可控制反激,降壓或升壓轉(zhuǎn)換器.
它還集成了用來(lái)處理反饋誤差的跨導(dǎo)電壓放大器,用來(lái)產(chǎn)生正比于輸入電壓的電流基準(zhǔn)發(fā)生器,電流檢測(cè)(PWM)比較器,PWM邏輯以及用來(lái)驅(qū)動(dòng)外接FET的圖騰柱驅(qū)動(dòng)器.
先進(jìn)的單電源工藝能提供成本效率的性能,從而改善了低電壓功放應(yīng)用中崎嶇不平的途徑。
HIIPA和E-模式工藝結(jié)合起來(lái)是要用來(lái)改善MMM5062的特性。這種模塊支持GSM850/900,DCS1800和PCS1900的四頻帶應(yīng)用。它也為10類 GPRS工作而設(shè)計(jì)。
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