電壓開關(guān)(ZVS)技術(shù)大幅降低MOSFET和整流器的開關(guān)損耗
發(fā)布時(shí)間:2021/4/10 17:30:22 訪問次數(shù):831
單片1G位AND閃存,其寫入速度達(dá)到每秒10M字節(jié)。
根據(jù)其專有的輔助柵AND型(AG-AND)多層單元的閃存技術(shù),HN29V1G91存儲器芯片能在大約13秒內(nèi)記錄128M字節(jié)的數(shù)據(jù),相當(dāng)于兩小時(shí)CD質(zhì)量的MP3音樂。
它也適用于高檔數(shù)碼相機(jī),以產(chǎn)生高分辨率的圖像大文件和提供活動圖像。
HN29V1G91的其它應(yīng)用包括手機(jī)和有無線功能的PDA,能接收寬帶發(fā)送的圖像以及工業(yè)應(yīng)用的高性能固態(tài)數(shù)據(jù)設(shè)備。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V 集電極—基極電壓 VCBO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 最大直流電集電極電流:100 mA Pd-功率耗散:330 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:250 MHz 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 高度:1 mm 長度:2.9 mm 技術(shù):Si 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 子類別:Transistors 單位重量:1.438 g
TI公司的SLK2504 SONET/SDH收發(fā)器把16通道622Mbps數(shù)據(jù)合并成四個(gè)獨(dú)立的OC-48通道,兩個(gè)冗余的OC-48通道,或一個(gè)OC-192通道。
和光互聯(lián)論壇(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光標(biāo)準(zhǔn)兼容,該器件用0.18微米CMOS工藝,以達(dá)到成本效率的集成度和低功耗。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
單片1G位AND閃存,其寫入速度達(dá)到每秒10M字節(jié)。
根據(jù)其專有的輔助柵AND型(AG-AND)多層單元的閃存技術(shù),HN29V1G91存儲器芯片能在大約13秒內(nèi)記錄128M字節(jié)的數(shù)據(jù),相當(dāng)于兩小時(shí)CD質(zhì)量的MP3音樂。
它也適用于高檔數(shù)碼相機(jī),以產(chǎn)生高分辨率的圖像大文件和提供活動圖像。
HN29V1G91的其它應(yīng)用包括手機(jī)和有無線功能的PDA,能接收寬帶發(fā)送的圖像以及工業(yè)應(yīng)用的高性能固態(tài)數(shù)據(jù)設(shè)備。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V 集電極—基極電壓 VCBO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 最大直流電集電極電流:100 mA Pd-功率耗散:330 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:250 MHz 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 高度:1 mm 長度:2.9 mm 技術(shù):Si 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 子類別:Transistors 單位重量:1.438 g
TI公司的SLK2504 SONET/SDH收發(fā)器把16通道622Mbps數(shù)據(jù)合并成四個(gè)獨(dú)立的OC-48通道,兩個(gè)冗余的OC-48通道,或一個(gè)OC-192通道。
和光互聯(lián)論壇(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光標(biāo)準(zhǔn)兼容,該器件用0.18微米CMOS工藝,以達(dá)到成本效率的集成度和低功耗。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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