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CLCC封裝的頂部是平直的和一個(gè)小功率SRAM器件

發(fā)布時(shí)間:2021/4/10 22:58:56 訪問(wèn)次數(shù):848

IDT是交換機(jī)和路由器半導(dǎo)體領(lǐng)域里,并可提供業(yè)內(nèi)最寬的IP協(xié)處理器系列,支持基于ASIC的包處理器的系列,以及無(wú)粘接(Glueless)IP協(xié)處理器,支持Intel、AMCC等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的廠商的網(wǎng)絡(luò)處理器。

這種封裝的規(guī)格為10.7 mmx10.7 mm x 1.65 mm,而以往安捷倫圖像傳感器所采用的PQFP(塑料四方扁平封裝)封裝的規(guī)格則是13.5 mmx14.5 mmx3.80 mm。

由于管腳是扁平的,所以CLCC封裝的頂部是平直的,從而可以對(duì)高度實(shí)現(xiàn)更加精確的布局,進(jìn)而更加迅速、簡(jiǎn)便地對(duì)光進(jìn)行調(diào)節(jié)。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類(lèi):達(dá)林頓晶體管 配置:Single 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:100 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—基極電壓 VCBO:100 V 最大直流電集電極電流:5 A 最大集電極截止電流:200 uA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Tube 高度:9.15 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 直流集電極/Base Gain hfe Min:1000 產(chǎn)品類(lèi)型:Darlington Transistors 1000 子類(lèi)別:Transistors 單位重量:6 g


分立的解決方案需用多個(gè)IC和一個(gè)小功率SRAM器件來(lái)處理電池切換和寫(xiě)保護(hù)功能。

靈活性體現(xiàn)在客戶對(duì)電池的選擇上,在外界溫度40度、電池容量?jī)H為18mAh時(shí), M48Z32V的數(shù)據(jù)額定保存能力10年。

M48Z32V僅在一個(gè)高度為0.12英寸(3.05mm)單片44引腳SOIC封裝上就集中了所有這些功能。

目前,很多系統(tǒng)已經(jīng)配備了可隨時(shí)為M48Z32V提供備用電源的電池,這意味M48Z32V不僅是一個(gè)小尺寸的NVRAM解決方案,而且還可降低產(chǎn)品的成本。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

IDT是交換機(jī)和路由器半導(dǎo)體領(lǐng)域里,并可提供業(yè)內(nèi)最寬的IP協(xié)處理器系列,支持基于ASIC的包處理器的系列,以及無(wú)粘接(Glueless)IP協(xié)處理器,支持Intel、AMCC等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的廠商的網(wǎng)絡(luò)處理器。

這種封裝的規(guī)格為10.7 mmx10.7 mm x 1.65 mm,而以往安捷倫圖像傳感器所采用的PQFP(塑料四方扁平封裝)封裝的規(guī)格則是13.5 mmx14.5 mmx3.80 mm。

由于管腳是扁平的,所以CLCC封裝的頂部是平直的,從而可以對(duì)高度實(shí)現(xiàn)更加精確的布局,進(jìn)而更加迅速、簡(jiǎn)便地對(duì)光進(jìn)行調(diào)節(jié)。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類(lèi):達(dá)林頓晶體管 配置:Single 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:100 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—基極電壓 VCBO:100 V 最大直流電集電極電流:5 A 最大集電極截止電流:200 uA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Tube 高度:9.15 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 直流集電極/Base Gain hfe Min:1000 產(chǎn)品類(lèi)型:Darlington Transistors 1000 子類(lèi)別:Transistors 單位重量:6 g


分立的解決方案需用多個(gè)IC和一個(gè)小功率SRAM器件來(lái)處理電池切換和寫(xiě)保護(hù)功能。

靈活性體現(xiàn)在客戶對(duì)電池的選擇上,在外界溫度40度、電池容量?jī)H為18mAh時(shí), M48Z32V的數(shù)據(jù)額定保存能力10年。

M48Z32V僅在一個(gè)高度為0.12英寸(3.05mm)單片44引腳SOIC封裝上就集中了所有這些功能。

目前,很多系統(tǒng)已經(jīng)配備了可隨時(shí)為M48Z32V提供備用電源的電池,這意味M48Z32V不僅是一個(gè)小尺寸的NVRAM解決方案,而且還可降低產(chǎn)品的成本。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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