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電壓反饋(VFB)運(yùn)算放大器2.7V-5.25V數(shù)字電壓

發(fā)布時間:2021/4/12 18:32:36 訪問次數(shù):2359

用于中心局DSLAM線路卡上的ADSL芯片組,每端口只消耗340mW和需要低于一平方英吋的面積,是業(yè)界中最小的。

芯片組共有兩片,可提供高達(dá)12Mbps的速率,同時增加服務(wù)范圍50%。該芯片組支持全球ADSL標(biāo)準(zhǔn),包括Annex A, B, C, H,和G.992.1/.2

電壓反饋(VFB)運(yùn)算放大器THS4271/5,采用該公司第二代互補(bǔ)雙極工藝技術(shù)制造,在30MHz的頻率,它的總失真(THD)為-90dB,是業(yè)界中最低的。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    149 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    2 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    44 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   70 S  

下降時間:   4.6 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   6.8 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   28 ns  

典型接通延遲時間:   5.4 ns  

零件號別名:  BSZ019N03LS SP000792362  

單位重量:  120 mg  

16位低功耗逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)MAX1165/MAX1166,它具有自動降功耗功能,工廠調(diào)整好內(nèi)部時鐘和16位寬(MAX1165)或字節(jié)寬(MAX1166)并行接口等性能。

器件工作在單電源4.75V-5.25V模擬電壓和2.7V-5.25V數(shù)字電壓。

MAX1165/MAX1166采用內(nèi)部或外部的基準(zhǔn)電壓源4.096V,取樣速率為165ksps時,用外部基準(zhǔn)電壓源僅消耗1.8mA電流,用內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源為2.7mA。

MAX1165/MAX1166很適合用在高性能,以電池為能源和數(shù)據(jù)采集的應(yīng)用。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

用于中心局DSLAM線路卡上的ADSL芯片組,每端口只消耗340mW和需要低于一平方英吋的面積,是業(yè)界中最小的。

芯片組共有兩片,可提供高達(dá)12Mbps的速率,同時增加服務(wù)范圍50%。該芯片組支持全球ADSL標(biāo)準(zhǔn),包括Annex A, B, C, H,和G.992.1/.2

電壓反饋(VFB)運(yùn)算放大器THS4271/5,采用該公司第二代互補(bǔ)雙極工藝技術(shù)制造,在30MHz的頻率,它的總失真(THD)為-90dB,是業(yè)界中最低的。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    149 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    2 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    44 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   70 S  

下降時間:   4.6 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   6.8 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   28 ns  

典型接通延遲時間:   5.4 ns  

零件號別名:  BSZ019N03LS SP000792362  

單位重量:  120 mg  

16位低功耗逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)MAX1165/MAX1166,它具有自動降功耗功能,工廠調(diào)整好內(nèi)部時鐘和16位寬(MAX1165)或字節(jié)寬(MAX1166)并行接口等性能。

器件工作在單電源4.75V-5.25V模擬電壓和2.7V-5.25V數(shù)字電壓。

MAX1165/MAX1166采用內(nèi)部或外部的基準(zhǔn)電壓源4.096V,取樣速率為165ksps時,用外部基準(zhǔn)電壓源僅消耗1.8mA電流,用內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源為2.7mA。

MAX1165/MAX1166很適合用在高性能,以電池為能源和數(shù)據(jù)采集的應(yīng)用。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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