電壓反饋(VFB)運(yùn)算放大器2.7V-5.25V數(shù)字電壓
發(fā)布時間:2021/4/12 18:32:36 訪問次數(shù):2359
用于中心局DSLAM線路卡上的ADSL芯片組,每端口只消耗340mW和需要低于一平方英吋的面積,是業(yè)界中最小的。
芯片組共有兩片,可提供高達(dá)12Mbps的速率,同時增加服務(wù)范圍50%。該芯片組支持全球ADSL標(biāo)準(zhǔn),包括Annex A, B, C, H,和G.992.1/.2
電壓反饋(VFB)運(yùn)算放大器THS4271/5,采用該公司第二代互補(bǔ)雙極工藝技術(shù)制造,在30MHz的頻率,它的總失真(THD)為-90dB,是業(yè)界中最低的。

產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 149 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 44 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 70 S
下降時間: 4.6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 6.8 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 28 ns
典型接通延遲時間: 5.4 ns
零件號別名: BSZ019N03LS SP000792362
單位重量: 120 mg
16位低功耗逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)MAX1165/MAX1166,它具有自動降功耗功能,工廠調(diào)整好內(nèi)部時鐘和16位寬(MAX1165)或字節(jié)寬(MAX1166)并行接口等性能。
器件工作在單電源4.75V-5.25V模擬電壓和2.7V-5.25V數(shù)字電壓。
MAX1165/MAX1166采用內(nèi)部或外部的基準(zhǔn)電壓源4.096V,取樣速率為165ksps時,用外部基準(zhǔn)電壓源僅消耗1.8mA電流,用內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源為2.7mA。
MAX1165/MAX1166很適合用在高性能,以電池為能源和數(shù)據(jù)采集的應(yīng)用。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
用于中心局DSLAM線路卡上的ADSL芯片組,每端口只消耗340mW和需要低于一平方英吋的面積,是業(yè)界中最小的。
芯片組共有兩片,可提供高達(dá)12Mbps的速率,同時增加服務(wù)范圍50%。該芯片組支持全球ADSL標(biāo)準(zhǔn),包括Annex A, B, C, H,和G.992.1/.2
電壓反饋(VFB)運(yùn)算放大器THS4271/5,采用該公司第二代互補(bǔ)雙極工藝技術(shù)制造,在30MHz的頻率,它的總失真(THD)為-90dB,是業(yè)界中最低的。

產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 149 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 44 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 70 S
下降時間: 4.6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 6.8 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 28 ns
典型接通延遲時間: 5.4 ns
零件號別名: BSZ019N03LS SP000792362
單位重量: 120 mg
16位低功耗逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)MAX1165/MAX1166,它具有自動降功耗功能,工廠調(diào)整好內(nèi)部時鐘和16位寬(MAX1165)或字節(jié)寬(MAX1166)并行接口等性能。
器件工作在單電源4.75V-5.25V模擬電壓和2.7V-5.25V數(shù)字電壓。
MAX1165/MAX1166采用內(nèi)部或外部的基準(zhǔn)電壓源4.096V,取樣速率為165ksps時,用外部基準(zhǔn)電壓源僅消耗1.8mA電流,用內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源為2.7mA。
MAX1165/MAX1166很適合用在高性能,以電池為能源和數(shù)據(jù)采集的應(yīng)用。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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