和IR公司以前的產(chǎn)品IRF7901D1相比，電流能力提高40%；和分立器件相比，節(jié)省60%的空間。

IRF7335D1輸入是標(biāo)準(zhǔn)的12V，有5V，3.3V 和1.7V輸出電壓的同步充跳轉(zhuǎn)換器能傳輸達(dá)11A的電流，用在筆記本電腦和臺(tái)式計(jì)算機(jī)，游戲控制臺(tái)和互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。

共封裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化了版圖設(shè)計(jì)，降低了封裝和裝配成本，增加功率密度，簡(jiǎn)化采購(gòu)備料。

IRF7335D1中的兩個(gè)MOSFET是單獨(dú)優(yōu)化其控制和同步開關(guān)功能的。同步的MOSFET有低的導(dǎo)通電阻，減少導(dǎo)通損耗。

晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

17A（Ta），40A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

4.2 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 36μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.1W（Ta），69W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

PG-TSDSON-8-FL

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓（Vdss）

60V

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）

27nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）

2000pF @ 30V

基本產(chǎn)品編號(hào)

BSZ042

Intel E750芯片組也適用于雙處理器的服務(wù)器。

有兩個(gè)512K字節(jié)的先進(jìn)傳輸?shù)母咚倬彌_存儲(chǔ)器的Intel Xeon處理器，1K定貨量時(shí)，2.8GHz的價(jià)格為$562,2.6GHz的價(jià)格為$443。

新的芯片組有更快的系統(tǒng)總線，今年晚些時(shí)候推出。這些新芯片組具有533MHz系統(tǒng)總線的特性，滿足有雙通道DDR 266存儲(chǔ)器的功能更強(qiáng)大的服務(wù)器和工作站的要求，今年第四季度將會(huì)和新的Intel Xeon處理器一起提供。

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