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16位sigma-delta模擬數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器選擇的基準(zhǔn)電壓

發(fā)布時(shí)間:2021/4/14 12:35:04 訪問次數(shù):706

LM63溫度傳感器目標(biāo)應(yīng)用在筆記本PC、臺(tái)式電腦、工作站、服務(wù)器以及其它基于CPU的系統(tǒng)如瘦客戶機(jī)等。

它同樣可用于基站、路由器、風(fēng)扇模塊或其它要求根據(jù)溫度來進(jìn)行風(fēng)扇控制的系統(tǒng)。

LM63具有一個(gè)本地和遠(yuǎn)程二極管溫度傳感器,用來感知集成在被測(cè)量IC如Pentium III或IV 處理器或某個(gè)分立晶體管如2N3904和本身的二極管的溫度。

LM63的測(cè)量精度為±1度C,包括量化誤差,并具有可編程PWM輸出,從而能根據(jù)遙控二極管的溫度來控制風(fēng)扇速度。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A, 50 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 5.6 nC, 16 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.15 mm

長度: 6 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 47 S, 55 S

下降時(shí)間: 1.4 ns, 2.4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 4 ns, 4.7 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 4.3 ns, 8 ns

典型接通延遲時(shí)間: 4.3 ns, 5.1 ns

零件號(hào)別名: BSG0810NDI SP001241674

單位重量: 112.200 mg

MAX11359A智能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(DAS)是基于16位sigma-delta模擬數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(ADC),集成了ADC,DAC,運(yùn)算放大器,可選擇的基準(zhǔn)電壓,溫度傳感器,模擬開關(guān), 32kHz振蕩器。

器件還具有8步查尋表,可通過編程來建立基于溫度的非線性轉(zhuǎn)移函數(shù),進(jìn)行風(fēng)扇控制,從而令設(shè)計(jì)者能避免風(fēng)扇中引起共鳴的頻率,使系統(tǒng)達(dá)到更好的聲學(xué)性能。

帶告警功能的實(shí)時(shí)時(shí)鐘,高頻鎖相還(FLL),四個(gè)可編程I/O,中斷發(fā)生器,以及1.8V和2.7V電壓監(jiān)視器,主要用在以電池為能源和手提設(shè)備,電化學(xué)和光學(xué)傳感器,醫(yī)療設(shè)備,工業(yè)控制和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng).


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

LM63溫度傳感器目標(biāo)應(yīng)用在筆記本PC、臺(tái)式電腦、工作站、服務(wù)器以及其它基于CPU的系統(tǒng)如瘦客戶機(jī)等。

它同樣可用于基站、路由器、風(fēng)扇模塊或其它要求根據(jù)溫度來進(jìn)行風(fēng)扇控制的系統(tǒng)。

LM63具有一個(gè)本地和遠(yuǎn)程二極管溫度傳感器,用來感知集成在被測(cè)量IC如Pentium III或IV 處理器或某個(gè)分立晶體管如2N3904和本身的二極管的溫度。

LM63的測(cè)量精度為±1度C,包括量化誤差,并具有可編程PWM輸出,從而能根據(jù)遙控二極管的溫度來控制風(fēng)扇速度。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A, 50 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 5.6 nC, 16 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.15 mm

長度: 6 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 47 S, 55 S

下降時(shí)間: 1.4 ns, 2.4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 4 ns, 4.7 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 4.3 ns, 8 ns

典型接通延遲時(shí)間: 4.3 ns, 5.1 ns

零件號(hào)別名: BSG0810NDI SP001241674

單位重量: 112.200 mg

MAX11359A智能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(DAS)是基于16位sigma-delta模擬數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(ADC),集成了ADC,DAC,運(yùn)算放大器,可選擇的基準(zhǔn)電壓,溫度傳感器,模擬開關(guān), 32kHz振蕩器。

器件還具有8步查尋表,可通過編程來建立基于溫度的非線性轉(zhuǎn)移函數(shù),進(jìn)行風(fēng)扇控制,從而令設(shè)計(jì)者能避免風(fēng)扇中引起共鳴的頻率,使系統(tǒng)達(dá)到更好的聲學(xué)性能。

帶告警功能的實(shí)時(shí)時(shí)鐘,高頻鎖相還(FLL),四個(gè)可編程I/O,中斷發(fā)生器,以及1.8V和2.7V電壓監(jiān)視器,主要用在以電池為能源和手提設(shè)備,電化學(xué)和光學(xué)傳感器,醫(yī)療設(shè)備,工業(yè)控制和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng).


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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