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磁珠L(zhǎng)-C濾波器輸出電壓波紋降低到10μVRMS以下

發(fā)布時(shí)間:2021/4/16 12:29:47 訪問(wèn)次數(shù):420

TPS6291x系列產(chǎn)品是高效率低噪音和低波紋同步降壓轉(zhuǎn)換器,非常適合用在對(duì)噪音敏感的應(yīng)用如通常用LDO作為后穩(wěn)壓器的地方比如高速ADC,時(shí)鐘和抖動(dòng)清初器,串行化器,并行化器和雷達(dá)應(yīng)用.

為連進(jìn)一步降低輸出電壓的波紋,器件集成了回路補(bǔ)償,和可選擇的第二級(jí)磁珠L(zhǎng)-C濾波器工作,這使得輸出電壓波紋降低到10 μVRMS以下.

低頻率噪音電平,和低噪音LDO器件相仿,通過(guò)采用連接到NR/SS引腳的電容對(duì)內(nèi)部電壓基準(zhǔn)來(lái)獲得.TPS6291x器件是固定頻率電流模式轉(zhuǎn)換器.

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.8 mOhms, 2.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 10 nC, 18.4 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

晶體管類(lèi)型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 32 S, 43 S

下降時(shí)間: 3 ns, 2.6 ns

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

上升時(shí)間: 3.8 ns, 3.6 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類(lèi)別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 17 ns, 19 ns

典型接通延遲時(shí)間: 4.7 ns, 4.1 ns

零件號(hào)別名: SP000934758 BSC923NDIXT BSC0923NDIATMA1

單位重量: 96.560 mg

GaN晶體管開(kāi)關(guān)性能出色,工作頻率更高,能效更高,散熱發(fā)熱更少,設(shè)計(jì)人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器,設(shè)計(jì)更小、更輕的電源、充電器和適配器。

MasterGaN4非常適用于對(duì)稱(chēng)半橋拓?fù)湟约败涢_(kāi)關(guān)拓?fù),例如,有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。4.75V-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現(xiàn)有電源軌。

內(nèi)置保護(hù)功能包括柵極驅(qū)動(dòng)器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過(guò)熱保護(hù),可進(jìn)一步簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)。還有一個(gè)專(zhuān)用的關(guān)斷引腳。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

TPS6291x系列產(chǎn)品是高效率低噪音和低波紋同步降壓轉(zhuǎn)換器,非常適合用在對(duì)噪音敏感的應(yīng)用如通常用LDO作為后穩(wěn)壓器的地方比如高速ADC,時(shí)鐘和抖動(dòng)清初器,串行化器,并行化器和雷達(dá)應(yīng)用.

為連進(jìn)一步降低輸出電壓的波紋,器件集成了回路補(bǔ)償,和可選擇的第二級(jí)磁珠L(zhǎng)-C濾波器工作,這使得輸出電壓波紋降低到10 μVRMS以下.

低頻率噪音電平,和低噪音LDO器件相仿,通過(guò)采用連接到NR/SS引腳的電容對(duì)內(nèi)部電壓基準(zhǔn)來(lái)獲得.TPS6291x器件是固定頻率電流模式轉(zhuǎn)換器.

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.8 mOhms, 2.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 10 nC, 18.4 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

晶體管類(lèi)型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 32 S, 43 S

下降時(shí)間: 3 ns, 2.6 ns

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

上升時(shí)間: 3.8 ns, 3.6 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類(lèi)別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 17 ns, 19 ns

典型接通延遲時(shí)間: 4.7 ns, 4.1 ns

零件號(hào)別名: SP000934758 BSC923NDIXT BSC0923NDIATMA1

單位重量: 96.560 mg

GaN晶體管開(kāi)關(guān)性能出色,工作頻率更高,能效更高,散熱發(fā)熱更少,設(shè)計(jì)人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器,設(shè)計(jì)更小、更輕的電源、充電器和適配器。

MasterGaN4非常適用于對(duì)稱(chēng)半橋拓?fù)湟约败涢_(kāi)關(guān)拓?fù),例如,有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。4.75V-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現(xiàn)有電源軌。

內(nèi)置保護(hù)功能包括柵極驅(qū)動(dòng)器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過(guò)熱保護(hù),可進(jìn)一步簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)。還有一個(gè)專(zhuān)用的關(guān)斷引腳。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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