GaN晶體管開關(guān)性能出色，工作頻率更高，能效更高，散熱發(fā)熱更少，設(shè)計人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器，設(shè)計更小、更輕的電源、充電器和適配器。

MasterGaN4非常適用于對稱半橋拓撲以及軟開關(guān)拓撲，例如，有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。

4.75V-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現(xiàn)有電源軌。

內(nèi)置保護功能包括柵極驅(qū)動器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過熱保護，可進一步簡化應(yīng)用設(shè)計。還有一個專用的關(guān)斷引腳。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Reel    

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

寬度:   5.15 mm  

商標:   Infineon Technologies  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

子類別:   MOSFETs  

零件號別名:  BSC0923NDI SP000934758

大功率分流電阻器獲得高度好評的“PSR系列，通過施以引腳溫度降額，將額定功率的保證值擴展至最大15W，并且還改善了電阻溫度系數(shù)的規(guī)格值。

“PSR系列”擁有從0.1mΩ～3.0mΩ的超低阻值陣容，與“GMR系列”同為小型封裝，都支持大功率和高精度檢測，有助于汽車和工業(yè)設(shè)備實現(xiàn)小型化。

新產(chǎn)品“GMR320”已于2021年2月開始量產(chǎn)（300日元/個，不含稅）。前期工序和后期工序的生產(chǎn)基地均為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國）。