低邊電流采樣電阻設(shè)計(jì)峰值電流模式拓?fù)涞男阅?/h1>

發(fā)布時間:2021/4/16 23:04:38 訪問次數(shù):299

新產(chǎn)品通過改進(jìn)材料并采用ROHM自有的結(jié)構(gòu)，提高了散熱性能，并大大抑制了表面溫度的升高。

例如，當(dāng)在7W條件下使用5mΩ產(chǎn)品時，普通產(chǎn)品的表面溫升達(dá)到154.3℃，而新產(chǎn)品的表面溫升僅為117.8℃，減少23％。

ROHM新開發(fā)出大功率、低阻值的分流電阻器“GMR320”。

由于其出色的散熱性能，不僅實(shí)現(xiàn)了10W級產(chǎn)品中超小的7.1mm×4.2mm尺寸，而且在過電流負(fù)載時電阻值也不會發(fā)生變化，可以保持穩(wěn)定的性能。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TISON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    2 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    40 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    3.8 mOhms, 2.1 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.2 V    

Qg-柵極電荷:    10 nC, 18.4 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    2.5 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Dual  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

晶體管類型:   2 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   32 S, 43 S  

下降時間:   3 ns, 2.6 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   3.8 ns, 3.6 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   17 ns, 19 ns  

典型接通延遲時間:   4.7 ns, 4.1 ns  

零件號別名:  SP000934758 BSC923NDIXT BSC0923NDIATMA1  

單位重量:  96.560 mg

MasterGaN4原型開發(fā)板(EVALMASTERGAN4)。這塊評估板提供使用單一或互補(bǔ)信號驅(qū)動MasterGaN4的全部功能，以及一個可調(diào)的死區(qū)時間發(fā)生器。

用戶可以靈活地施加一個單獨(dú)輸入信號或PWM信號，插入一個外部自舉二極管，隔離邏輯器件和柵極驅(qū)動器電源軌，以及使用一個低邊電流采樣電阻設(shè)計(jì)峰值電流模式拓?fù)洹?/span>

MasterGaN4現(xiàn)已投產(chǎn)，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，超過2mm的爬電距離確保在高壓應(yīng)用中的使用安全。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

新產(chǎn)品通過改進(jìn)材料并采用ROHM自有的結(jié)構(gòu)，提高了散熱性能，并大大抑制了表面溫度的升高。

例如，當(dāng)在7W條件下使用5mΩ產(chǎn)品時，普通產(chǎn)品的表面溫升達(dá)到154.3℃，而新產(chǎn)品的表面溫升僅為117.8℃，減少23％。

ROHM新開發(fā)出大功率、低阻值的分流電阻器“GMR320”。

由于其出色的散熱性能，不僅實(shí)現(xiàn)了10W級產(chǎn)品中超小的7.1mm×4.2mm尺寸，而且在過電流負(fù)載時電阻值也不會發(fā)生變化，可以保持穩(wěn)定的性能。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TISON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    2 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    40 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    3.8 mOhms, 2.1 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.2 V    

Qg-柵極電荷:    10 nC, 18.4 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    2.5 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Dual  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

晶體管類型:   2 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   32 S, 43 S  

下降時間:   3 ns, 2.6 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   3.8 ns, 3.6 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   17 ns, 19 ns  

典型接通延遲時間:   4.7 ns, 4.1 ns  

零件號別名:  SP000934758 BSC923NDIXT BSC0923NDIATMA1  

單位重量:  96.560 mg

MasterGaN4原型開發(fā)板(EVALMASTERGAN4)。這塊評估板提供使用單一或互補(bǔ)信號驅(qū)動MasterGaN4的全部功能，以及一個可調(diào)的死區(qū)時間發(fā)生器。

用戶可以靈活地施加一個單獨(dú)輸入信號或PWM信號，插入一個外部自舉二極管，隔離邏輯器件和柵極驅(qū)動器電源軌，以及使用一個低邊電流采樣電阻設(shè)計(jì)峰值電流模式拓?fù)洹?/span>

MasterGaN4現(xiàn)已投產(chǎn)，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，超過2mm的爬電距離確保在高壓應(yīng)用中的使用安全。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

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