磁簧開關的局限性以及解決這些問題的TMR傳感器IC的優(yōu)勢磁簧開關的局限性解決磁簧開關局限性的TMR傳感器IC的優(yōu)勢易受振動和沖擊的影響.

因此所需的工藝更少所使用的磁體不能縮小到特定尺寸以下尺寸只有常規(guī)磁簧開關的十分之一左右只要傳感器處于開啟狀態(tài)，電流就會流過，從而使電池壽命變得不可靠納米級電流消耗.

延長電池壽命ABLIC為用于檢測水平磁場的“小巧、智能、簡單”的產品系列增加了一種新的“S-5701 B系列”TMR傳感器IC產品，可以提供給尋求磁簧開關替代品的客戶，以進一步擴大我們的客戶群。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TSDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 149 A

Rds On-漏源導通電阻: 2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 44 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

長度: 3.3 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.3 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 70 S

下降時間: 4.6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 6.8 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 28 ns

典型接通延遲時間: 5.4 ns

零件號別名: SP000792362 BSZ19N3LSXT BSZ019N03LSATMA1

單位重量: 100 mg

在正常工作條件下，nvSRAM的作用類似于傳統(tǒng)的異步SRAM。

斷電時，nvSRAM會自動將SRAM數據的副本保存到非易失性存儲器中，該數據的保護期限超過20年。英飛凌已交付超過20億顆基于SONOS的非易失性嵌入式或獨立存儲器.

超薄TSOT-23-3S封裝可提供BOP = 1.0mT的高磁靈敏度產品.

應用場景替換磁簧開關使用該IC的產品舉例窗戶開關傳感器、電子鑰匙、煙霧探測器煤氣表、水表、智能電表.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）