普通的耐壓200V以下的GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)電壓為5V，而其柵極-源極間額定電壓為6V，其電壓裕度非常小，只有1V。

一旦超過器件的額定電壓，就可能會(huì)發(fā)生劣化和損壞等可靠性方面的問題，這就需要對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行高精度的控制，因此，這已成為阻礙GaN器件普及的重大瓶頸問題。

針對(duì)這種課題，ROHM通過采用自有的結(jié)構(gòu)，成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規(guī)的6V提高到了業(yè)內(nèi)超高的8V。

集成電路（IC）

數(shù)據(jù)采集 - 模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）

制造商

Texas Instruments

系列

包裝

管件

零件狀態(tài)

停產(chǎn)

位數(shù)

16

采樣率（每秒）

40k

輸入數(shù)

1

輸入類型

單端

數(shù)據(jù)接口

SPI，并聯(lián)

配置

S/H-ADC

比率 - S/H:ADC

1：1

架構(gòu)

SAR

參考類型

外部，內(nèi)部

電壓 - 供電，模擬

5V

電壓 - 供電，數(shù)字

5V

特性

工作溫度

-40°C ~ 85°C

封裝/外殼

28-DIP（0.300""，7.62mm）

供應(yīng)商器件封裝

28-PDIP

安裝類型

通孔

A/D 轉(zhuǎn)換器數(shù)

1

基本產(chǎn)品編號(hào)

ADS7807

ROHM利用自有的結(jié)構(gòu)，成功地將柵極-源極間額定電壓從常規(guī)的6V提高到了8V，這將有助于提高采用高效率的GaN器件的電源電路的設(shè)計(jì)裕度和可靠性。

這使器件工作時(shí)的電壓裕度達(dá)到普通產(chǎn)品的三倍，在開關(guān)工作過程中即使產(chǎn)生了超過6V的過沖電壓，器件也不會(huì)劣化，從而有助于提高電源電路的可靠性。

這種封裝不僅可以通過更低的寄生電感更好地發(fā)揮出器件的性能，還使產(chǎn)品更易于在電路板上安裝并具有更出色散熱性，從而可以使現(xiàn)有硅器件的替換和安裝工序中的操作更輕松。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）