650 V CoolSiC™混合分立器件。該器件包含一個50 A TRENCHSTOP™ 5快速開關(guān)IGBT和一個CoolSiC肖特基二極管，能夠提升性價比并帶來高可靠性。

這種組合為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋�兼顧品質(zhì)與性價比的完美方案，除支持雙向充電之外，還有助于實現(xiàn)很高的系統(tǒng)集成度。

這使得該器件非常適合諸多快速開關(guān)汽車應(yīng)用，如車載充電器（OBC）、功率因數(shù)校正（PFC）、DC-DC和DC-AC變流器等。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

17A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）

290 毫歐 @ 11A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 1mA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

227W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

PG-TO263-3-2

封裝/外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

漏源電壓（Vdss）

800V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

177nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

2300pF @ 100V

基本產(chǎn)品編號

SPB17N80

集成式快速開關(guān)50 A IGBT的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與MOSFET媲美。較之常規(guī)的碳化硅MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時間，能以更低成本實現(xiàn)95％至97％的系統(tǒng)效率。

此外，CoolSiC肖特基二極管有助于降低導(dǎo)通和恢復(fù)損耗。相比純硅設(shè)計而言，該器件是實現(xiàn)硬換向的理想器件，損耗可降低30%。

由于具有較低的冷卻要求，該二極管還能降低系統(tǒng)成本，帶來極佳的性價比優(yōu)勢。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）