激光驅(qū)動(dòng)器EPC21603，在單個(gè)芯片上集成了40 V、10 A 場(chǎng)效應(yīng)晶體管、柵極驅(qū)動(dòng)器和LVDS邏輯電平輸入，面向飛行時(shí)間（ToF）激光雷達(dá)系統(tǒng)，用于機(jī)器人、無(wú)人機(jī)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）和電玩等應(yīng)用。

EPC21603采用LVDS邏輯電路來(lái)控制，能夠在超過(guò)100 MHz的超高頻率和低于2 ns的超短脈沖下，調(diào)制并實(shí)現(xiàn)高達(dá)10A的激光驅(qū)動(dòng)電流。

EPC21603集成了基于EPC專有的氮化鎵IC技術(shù)的單芯片驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN®FET），采用芯片級(jí)BGA封裝，其外形尺寸僅為1.5 mm x 1.0 mm。

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TISON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    2 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    40 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    3.9 mOhms, 1.2 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.2 V    

Qg-柵極電荷:    8.9 nC, 33 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    2.5 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Dual  

高度:   1.27 mm  

長(zhǎng)度:   5.9 mm  

晶體管類型:   2 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   38 S, 70 S  

下降時(shí)間:   2.4 ns, 3.6 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   3.4 ns, 5 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   12 ns, 25 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   1.8 ns, 5 ns  

零件號(hào)別名:  BSC0921NDI SP000934748  

單位重量:  101.660 mg

CoolSiC混合分立器件，我們可以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)，從而縮短了產(chǎn)品研發(fā)時(shí)間、降低了研發(fā)成本、提高了系統(tǒng)魯棒性。

而集成的SiC二極管所具有的反向恢復(fù)性能進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)的電磁兼容性。因此在圖騰柱PFC、DAB等拓?fù)浼軜?gòu)中具備更大的性能優(yōu)勢(shì)和更高的性價(jià)比。

(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）