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新型傳感器和ERF32MG SoC具有4x閃存和RAM及BLE功能

發(fā)布時間:2021/4/17 20:46:29 訪問次數(shù):894

Silicon Labs的節(jié)能型EFR32和EFM32微控制器(MCU)開發(fā)機器學(xué)習(xí)傳感器insight。

同時也在SensiML Analytics Studio中啟用了對Thunderboard Sense 2物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)入門工具包(SLTB004A)的支持。

使用Thunderboard 2和SensiML分析工具包,構(gòu)建相應(yīng)人工智能推理模型, 并在短時間生成優(yōu)化的固件。

這種物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)套件采用新型傳感器和最新的 ERF32MG SoC 并具有 4x 閃存和 RAM 以及先進的 BLE 功能,可以在數(shù)分鐘內(nèi)將設(shè)備與云連接。

制造商:    Infineon

產(chǎn)品種類:    MOSFET

RoHS:    詳細(xì)信息

技術(shù):    Si

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT

封裝 / 箱體:    TISON-8

晶體管極性:    N-Channel

通道數(shù)量:    2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:    25 V

Id-連續(xù)漏極電流:    40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    2.5 mOhms, 900 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.2 V

Qg-柵極電荷:    12 nC, 37 nC

最小工作溫度:    - 55 C

最大工作溫度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    2.5 W

通道模式:    Enhancement

商標(biāo)名:    OptiMOS

封裝:    Cut Tape

封裝:    MouseReel

封裝:    Reel

配置:   Dual

高度:   1.27 mm

長度:   5.9 mm

晶體管類型:   2 N-Channel

寬度:   5.15 mm

商標(biāo):   Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值:   38 S, 65 S

下降時間:   2.2 ns, 4 ns

產(chǎn)品類型:   MOSFET

上升時間:   2.8 ns, 5.4 ns

工廠包裝數(shù)量:   5000

子類別:   MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:   15 ns, 25 ns

典型接通延遲時間:   3.3 ns, 3.8 ns

零件號別名:  SP000934746 BSC911NDXT BSC0911NDATMA1

單位重量:  101.880 mg


R-Car V3H電源解決方案的關(guān)鍵特性

可編程輸出電壓、順序、I/O配置和安全配置,可靈活支持R-Car V3H及其他SoC

集成12位SAR ADC,具備多達(dá)16個外部輸入,可監(jiān)控內(nèi)部與外部信號,無需增加系統(tǒng)ADC

動態(tài)電壓頻率調(diào)整(DVFS)調(diào)節(jié)輸出電壓,使功耗降到最低

可選擴頻時鐘,降低EMI

內(nèi)置支持R-Car V3H SoC激活,簡化SoC自檢程序

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

Silicon Labs的節(jié)能型EFR32和EFM32微控制器(MCU)開發(fā)機器學(xué)習(xí)傳感器insight。

同時也在SensiML Analytics Studio中啟用了對Thunderboard Sense 2物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)入門工具包(SLTB004A)的支持。

使用Thunderboard 2和SensiML分析工具包,構(gòu)建相應(yīng)人工智能推理模型, 并在短時間生成優(yōu)化的固件。

這種物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)套件采用新型傳感器和最新的 ERF32MG SoC 并具有 4x 閃存和 RAM 以及先進的 BLE 功能,可以在數(shù)分鐘內(nèi)將設(shè)備與云連接。

制造商:    Infineon

產(chǎn)品種類:    MOSFET

RoHS:    詳細(xì)信息

技術(shù):    Si

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT

封裝 / 箱體:    TISON-8

晶體管極性:    N-Channel

通道數(shù)量:    2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:    25 V

Id-連續(xù)漏極電流:    40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    2.5 mOhms, 900 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.2 V

Qg-柵極電荷:    12 nC, 37 nC

最小工作溫度:    - 55 C

最大工作溫度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    2.5 W

通道模式:    Enhancement

商標(biāo)名:    OptiMOS

封裝:    Cut Tape

封裝:    MouseReel

封裝:    Reel

配置:   Dual

高度:   1.27 mm

長度:   5.9 mm

晶體管類型:   2 N-Channel

寬度:   5.15 mm

商標(biāo):   Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值:   38 S, 65 S

下降時間:   2.2 ns, 4 ns

產(chǎn)品類型:   MOSFET

上升時間:   2.8 ns, 5.4 ns

工廠包裝數(shù)量:   5000

子類別:   MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:   15 ns, 25 ns

典型接通延遲時間:   3.3 ns, 3.8 ns

零件號別名:  SP000934746 BSC911NDXT BSC0911NDATMA1

單位重量:  101.880 mg


R-Car V3H電源解決方案的關(guān)鍵特性

可編程輸出電壓、順序、I/O配置和安全配置,可靈活支持R-Car V3H及其他SoC

集成12位SAR ADC,具備多達(dá)16個外部輸入,可監(jiān)控內(nèi)部與外部信號,無需增加系統(tǒng)ADC

動態(tài)電壓頻率調(diào)整(DVFS)調(diào)節(jié)輸出電壓,使功耗降到最低

可選擴頻時鐘,降低EMI

內(nèi)置支持R-Car V3H SoC激活,簡化SoC自檢程序

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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