新型傳感器和ERF32MG SoC具有4x閃存和RAM及BLE功能
發(fā)布時間:2021/4/17 20:46:29 訪問次數(shù):894
Silicon Labs的節(jié)能型EFR32和EFM32微控制器(MCU)開發(fā)機器學(xué)習(xí)傳感器insight。
同時也在SensiML Analytics Studio中啟用了對Thunderboard Sense 2物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)入門工具包(SLTB004A)的支持。
使用Thunderboard 2和SensiML分析工具包,構(gòu)建相應(yīng)人工智能推理模型, 并在短時間生成優(yōu)化的固件。
這種物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)套件采用新型傳感器和最新的 ERF32MG SoC 并具有 4x 閃存和 RAM 以及先進的 BLE 功能,可以在數(shù)分鐘內(nèi)將設(shè)備與云連接。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TISON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.5 mOhms, 900 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 12 nC, 37 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S, 65 S
下降時間: 2.2 ns, 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 2.8 ns, 5.4 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 15 ns, 25 ns
典型接通延遲時間: 3.3 ns, 3.8 ns
零件號別名: SP000934746 BSC911NDXT BSC0911NDATMA1
單位重量: 101.880 mg

R-Car V3H電源解決方案的關(guān)鍵特性
可編程輸出電壓、順序、I/O配置和安全配置,可靈活支持R-Car V3H及其他SoC
集成12位SAR ADC,具備多達(dá)16個外部輸入,可監(jiān)控內(nèi)部與外部信號,無需增加系統(tǒng)ADC
動態(tài)電壓頻率調(diào)整(DVFS)調(diào)節(jié)輸出電壓,使功耗降到最低
可選擴頻時鐘,降低EMI
內(nèi)置支持R-Car V3H SoC激活,簡化SoC自檢程序
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
Silicon Labs的節(jié)能型EFR32和EFM32微控制器(MCU)開發(fā)機器學(xué)習(xí)傳感器insight。
同時也在SensiML Analytics Studio中啟用了對Thunderboard Sense 2物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)入門工具包(SLTB004A)的支持。
使用Thunderboard 2和SensiML分析工具包,構(gòu)建相應(yīng)人工智能推理模型, 并在短時間生成優(yōu)化的固件。
這種物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)套件采用新型傳感器和最新的 ERF32MG SoC 并具有 4x 閃存和 RAM 以及先進的 BLE 功能,可以在數(shù)分鐘內(nèi)將設(shè)備與云連接。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TISON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.5 mOhms, 900 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 12 nC, 37 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S, 65 S
下降時間: 2.2 ns, 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 2.8 ns, 5.4 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 15 ns, 25 ns
典型接通延遲時間: 3.3 ns, 3.8 ns
零件號別名: SP000934746 BSC911NDXT BSC0911NDATMA1
單位重量: 101.880 mg

R-Car V3H電源解決方案的關(guān)鍵特性
可編程輸出電壓、順序、I/O配置和安全配置,可靈活支持R-Car V3H及其他SoC
集成12位SAR ADC,具備多達(dá)16個外部輸入,可監(jiān)控內(nèi)部與外部信號,無需增加系統(tǒng)ADC
動態(tài)電壓頻率調(diào)整(DVFS)調(diào)節(jié)輸出電壓,使功耗降到最低
可選擴頻時鐘,降低EMI
內(nèi)置支持R-Car V3H SoC激活,簡化SoC自檢程序
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)