儀器與 Keysight OpenTAP軟件集成在同一個(gè)平臺(tái)中，可提供高效的功能測(cè)試測(cè)量；其 PXI 體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可支持是德科技和第三方的儀器。

超低功耗微控制器STM32U5*系列，以滿足穿戴、個(gè)人醫(yī)療、家庭自動(dòng)化和工業(yè)傳感器等對(duì)低功耗有嚴(yán)格高要求的智能應(yīng)用設(shè)備。

STM32 MCU基于高效節(jié)能的Arm®Cortex®-M處理器處于市場(chǎng)領(lǐng)先，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于家電、工業(yè)控制、計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信設(shè)備、智慧城市及基礎(chǔ)設(shè)施等數(shù)十億個(gè)設(shè)備中。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型

FET 功能

邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng)

漏源電壓（Vdss）

30V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

17A，32A

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）

10nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）

1160pF @ 15V

功率 - 最大值

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

封裝/外殼

8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝

PG-TISON-8

基本產(chǎn)品編號(hào)

BSC0924

環(huán)境與出口分類

屬性 描述

RoHS 狀態(tài) 符合 ROHS3 規(guī)范

濕氣敏感性等級(jí) (MSL) 1（無限）

REACH 狀態(tài) 非 REACH 產(chǎn)品

ECCN EAR99

HTSUS 8541.29.0095

地彈電壓會(huì)造成驅(qū)動(dòng)器輸入端等效出現(xiàn)負(fù)電壓，因?yàn)閮?nèi)部等效體二極管，大多數(shù)柵極驅(qū)動(dòng)器能夠承受一定的負(fù)壓脈沖。然而，亦有必要采取預(yù)防措施，以防止驅(qū)動(dòng)器輸入端的過沖和欠壓尖峰過大，而對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片造成損壞，或產(chǎn)生誤動(dòng)作。

從上面等式可以看出，負(fù)向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。

在典型的低邊柵極驅(qū)動(dòng)電路中，雖然控制器和功率MOSFET使用同一個(gè)直流地平面作為參考，但一些情況下，由于驅(qū)動(dòng)器和控制器有一定距離，所以總會(huì)存在寄生電感。

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