地彈電壓會造成驅(qū)動器輸入端等效出現(xiàn)負電壓

發(fā)布時間:2021/4/19 22:21:47 訪問次數(shù):543

儀器與 Keysight OpenTAP軟件集成在同一個平臺中，可提供高效的功能測試測量；其 PXI 體系結(jié)構(gòu)設(shè)計可支持是德科技和第三方的儀器。

超低功耗微控制器STM32U5*系列，以滿足穿戴、個人醫(yī)療、家庭自動化和工業(yè)傳感器等對低功耗有嚴格高要求的智能應(yīng)用設(shè)備。

STM32 MCU基于高效節(jié)能的Arm®Cortex®-M處理器處于市場領(lǐng)先，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于家電、工業(yè)控制、計算機外設(shè)、通信設(shè)備、智慧城市及基礎(chǔ)設(shè)施等數(shù)十億個設(shè)備中。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

2 N 溝道（雙）非對稱型

FET 功能

邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動

漏源電壓（Vdss）

30V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

17A，32A

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）

5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

10nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

1160pF @ 15V

功率 - 最大值

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

封裝/外殼

8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝

PG-TISON-8

基本產(chǎn)品編號

BSC0924

環(huán)境與出口分類

屬性描述

RoHS 狀態(tài) 符合 ROHS3 規(guī)范

濕氣敏感性等級 (MSL) 1（無限）

REACH 狀態(tài) 非 REACH 產(chǎn)品

ECCN EAR99

HTSUS 8541.29.0095

地彈電壓會造成驅(qū)動器輸入端等效出現(xiàn)負電壓，因為內(nèi)部等效體二極管，大多數(shù)柵極驅(qū)動器能夠承受一定的負壓脈沖。然而，亦有必要采取預(yù)防措施，以防止驅(qū)動器輸入端的過沖和欠壓尖峰過大，而對驅(qū)動芯片造成損壞，或產(chǎn)生誤動作。

從上面等式可以看出，負向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。

在典型的低邊柵極驅(qū)動電路中，雖然控制器和功率MOSFET使用同一個直流地平面作為參考，但一些情況下，由于驅(qū)動器和控制器有一定距離，所以總會存在寄生電感。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

儀器與 Keysight OpenTAP軟件集成在同一個平臺中，可提供高效的功能測試測量；其 I 體系結(jié)構(gòu)設(shè)計可支持是德科技和第三方的儀器。