同相雙通道高速柵極驅(qū)動(dòng)器NSD1025具有很強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)
發(fā)布時(shí)間:2021/4/19 22:42:47 訪問(wèn)次數(shù):1044
新產(chǎn)品系列應(yīng)用各類(lèi)新的設(shè)計(jì),匹配現(xiàn)代應(yīng)用發(fā)展,其中有,先進(jìn)的網(wǎng)絡(luò)安全功能,支持PSA和SESIP(物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)安全評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)) 3級(jí)保證標(biāo)準(zhǔn)的安全硬件,還有圖形加速器可實(shí)現(xiàn)功能豐富的圖形用戶(hù)界面提升用戶(hù)體驗(yàn)。
ST微控制器全球份額幾乎翻了一倍,STM32超低功耗微控制器出貨量迄今超過(guò)20億。
ST憑借豐富的低功耗技術(shù)儲(chǔ)備和對(duì)低功耗市場(chǎng)的專(zhuān)注,讓我們?cè)诔凸奈⒖刂破黝?lèi)別具有很強(qiáng)的優(yōu)勢(shì),并占有約25%的市場(chǎng)份額。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 35 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 55 S
下降時(shí)間: 3.6 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 5.2 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4.2 ns
零件號(hào)別名: BSC0902NS SP000800246
單位重量: 200 mg
NSD1025通過(guò)優(yōu)化輸入端的ESD結(jié)構(gòu),能夠承受最大-10V的輸入電壓,相比其他競(jìng)品驅(qū)動(dòng),NSD1025更能應(yīng)對(duì)常見(jiàn)應(yīng)用場(chǎng)景的瞬態(tài)負(fù)脈沖,有更好的可靠性。
經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師通常會(huì)同時(shí)考慮三種抗擾方案,然后根據(jù)應(yīng)用約束來(lái)達(dá)到最優(yōu)選擇。
但選擇抗干擾能力強(qiáng)的器件,無(wú)疑能為整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)帶來(lái)更多的容錯(cuò)空間與選擇余地,所以也就成為工程師在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)候的第一步。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
新產(chǎn)品系列應(yīng)用各類(lèi)新的設(shè)計(jì),匹配現(xiàn)代應(yīng)用發(fā)展,其中有,先進(jìn)的網(wǎng)絡(luò)安全功能,支持PSA和SESIP(物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)安全評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)) 3級(jí)保證標(biāo)準(zhǔn)的安全硬件,還有圖形加速器可實(shí)現(xiàn)功能豐富的圖形用戶(hù)界面提升用戶(hù)體驗(yàn)。
ST微控制器全球份額幾乎翻了一倍,STM32超低功耗微控制器出貨量迄今超過(guò)20億。
ST憑借豐富的低功耗技術(shù)儲(chǔ)備和對(duì)低功耗市場(chǎng)的專(zhuān)注,讓我們?cè)诔凸奈⒖刂破黝?lèi)別具有很強(qiáng)的優(yōu)勢(shì),并占有約25%的市場(chǎng)份額。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 35 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 55 S
下降時(shí)間: 3.6 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 5.2 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4.2 ns
零件號(hào)別名: BSC0902NS SP000800246
單位重量: 200 mg
NSD1025通過(guò)優(yōu)化輸入端的ESD結(jié)構(gòu),能夠承受最大-10V的輸入電壓,相比其他競(jìng)品驅(qū)動(dòng),NSD1025更能應(yīng)對(duì)常見(jiàn)應(yīng)用場(chǎng)景的瞬態(tài)負(fù)脈沖,有更好的可靠性。
經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師通常會(huì)同時(shí)考慮三種抗擾方案,然后根據(jù)應(yīng)用約束來(lái)達(dá)到最優(yōu)選擇。
但選擇抗干擾能力強(qiáng)的器件,無(wú)疑能為整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)帶來(lái)更多的容錯(cuò)空間與選擇余地,所以也就成為工程師在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)候的第一步。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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