多功能數(shù)字濾波器(MDF)和音頻數(shù)字濾波器(ADF)取代了意法半導體久經考驗的Sigma-Delta調制數(shù)字濾波器(DFSDM)。

極大提高了聲音檢測功能，通過提高聲音活動檢測性能，這些功能讓用戶能夠將AI集成到基于低成本、低功耗微控制器的應用場景。

此外，通過在產品RAM存儲器內嵌入糾錯碼(ECC)存儲器，STM32U5 MCU還可以滿足關鍵安全應用的要求。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V

Id-連續(xù)漏極電流: 24 A

Rds On-漏源導通電阻: 59 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 30 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

系列: OptiMOS Fast Diode

晶體管類型: 1 N-Channel

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 24 S

下降時間: 4 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 3.6 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 19 ns

典型接通延遲時間: 8 ns

零件號別名: BSC670N25NSFD SP001107234

單位重量: 102.230 mg

它可以支持更多的每接入點用戶數(shù)、更大的每用戶流量需求、更高密度的部署、更多的蜂窩數(shù)據(jù)分流，以及Wi-Fi 6應用所需的更高功率和性能。

該模塊的功率放大器針對5V電源電壓進行了優(yōu)化，可在保持高線性輸出功率和高吞吐量的同時節(jié)省功耗。

作為一款高性能FEM，QPF4516B可實現(xiàn)33dB的發(fā)射增益和15dB的接收增益，噪聲系數(shù)為2dB。QPF4516B FEM帶有一個對數(shù)功率檢測器，可在整個功率譜范圍內進行功率控制

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）