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300kHz帶寬預(yù)設(shè)用于低于50A eff的功率轉(zhuǎn)換高帶寬和隔離特性

發(fā)布時間:2021/4/21 19:14:32 訪問次數(shù):1224

集成式電流傳感器MLX91220和MLX91221,用于通過模擬接口進(jìn)行AC和DC測量,是具有0-50A范圍和雙OCD(過電流檢測)功能的隔離式集成霍爾效應(yīng)電流傳感器。

這種多合一解決方案理想地結(jié)合了小尺寸、低阻抗、高帶寬和隔離特性。

這兩款傳感器帶有具備獨(dú)立輸出的雙重片上過電流檢測,省去外部過電流保護(hù),從而減少了物料清單(BoM)。這些傳感器適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用,例如車載充電器(OBC) 、DC / DC轉(zhuǎn)換器、小型電驅(qū)動器以及電源等。它們的300kHz帶寬預(yù)設(shè)用于低于50A eff的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    250 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    24 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    59 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    30 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 175 C    

Pd-功率耗散:    150 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

系列:   OptiMOS Fast Diode  

晶體管類型:   1 N-Channel  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   24 S  

下降時間:   4 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   3.6 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   19 ns  

典型接通延遲時間:   8 ns  

零件號別名:  BSC670N25NSFD SP001107234  

單位重量:  102.230 mg  

這兩款數(shù)字化儀為高容量應(yīng)用而優(yōu)化,因此適合原始設(shè)備制造商(OEM)在掃描源光學(xué)相干層析成像(SS-OCT)、飛行時間質(zhì)譜(ToF-MS)和分布式光纖傳感(DOFS)等領(lǐng)域進(jìn)行集成。

使用者可在板載FPGA中實時執(zhí)行定制的專用數(shù)字信號處理(DSP),以表征信號并提取有價值的信息。它還可用于執(zhí)行數(shù)據(jù)縮減,以便輸出速率與PCI Express接口的7 G/s持續(xù)傳輸容量相匹配。

接著,可以在主PC的中央處理單元(CPU)上對數(shù)據(jù)進(jìn)行后處理,或通過點(diǎn)對點(diǎn)傳輸?shù)綀D形處理單元(GPU)。



(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


集成式電流傳感器MLX91220和MLX91221,用于通過模擬接口進(jìn)行AC和DC測量,是具有0-50A范圍和雙OCD(過電流檢測)功能的隔離式集成霍爾效應(yīng)電流傳感器。

這種多合一解決方案理想地結(jié)合了小尺寸、低阻抗、高帶寬和隔離特性。

這兩款傳感器帶有具備獨(dú)立輸出的雙重片上過電流檢測,省去外部過電流保護(hù),從而減少了物料清單(BoM)。這些傳感器適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用,例如車載充電器(OBC) 、DC / DC轉(zhuǎn)換器、小型電驅(qū)動器以及電源等。它們的300kHz帶寬預(yù)設(shè)用于低于50A eff的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    250 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    24 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    59 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    30 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 175 C    

Pd-功率耗散:    150 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

系列:   OptiMOS Fast Diode  

晶體管類型:   1 N-Channel  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   24 S  

下降時間:   4 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   3.6 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   19 ns  

典型接通延遲時間:   8 ns  

零件號別名:  BSC670N25NSFD SP001107234  

單位重量:  102.230 mg  

這兩款數(shù)字化儀為高容量應(yīng)用而優(yōu)化,因此適合原始設(shè)備制造商(OEM)在掃描源光學(xué)相干層析成像(SS-OCT)、飛行時間質(zhì)譜(ToF-MS)和分布式光纖傳感(DOFS)等領(lǐng)域進(jìn)行集成。

使用者可在板載FPGA中實時執(zhí)行定制的專用數(shù)字信號處理(DSP),以表征信號并提取有價值的信息。它還可用于執(zhí)行數(shù)據(jù)縮減,以便輸出速率與PCI Express接口的7 G/s持續(xù)傳輸容量相匹配。

接著,可以在主PC的中央處理單元(CPU)上對數(shù)據(jù)進(jìn)行后處理,或通過點(diǎn)對點(diǎn)傳輸?shù)綀D形處理單元(GPU)。



(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


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