STM32H747上運行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(CNN)2kW電信級電源
發(fā)布時間:2021/4/21 0:02:20 訪問次數(shù):2288
新的AI固件功能包和攝像頭模塊硬件套件,讓嵌入式開發(fā)人員開發(fā)出可在基于STM32 *微控制器(MCU)的邊緣設(shè)備上運行的經(jīng)濟實惠且功能強大的計算機視覺應(yīng)用。
STM32Cube功能包FP-AI-VISION1包含幾個完整的計算機視覺應(yīng)用代碼示例,這些例程在STM32H747上運行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(CNN),并且可以在STM32全系列產(chǎn)品上輕松移植。
該固件提出了幾個應(yīng)用示例,開發(fā)人員可以用所選數(shù)據(jù)集重新訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),為解決各種用例問題提供更大的自由空間和靈活度。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續(xù)漏極電流: 24 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 59 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
系列: OptiMOS Fast Diode
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 24 S
下降時間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 3.6 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 19 ns
典型接通延遲時間: 8 ns
零件號別名: BSC670N25NSFD SP001107234
單位重量: 102.230 mg

全新的直流/直流電源是業(yè)界唯一一款2kW電信級電源,其優(yōu)點是具有無與倫比的靈活性,既可靈活提供大小不同的功率輸出,又可滿足電信業(yè)對輸入電源線規(guī)定的獨特要求。
該系列使用電子束(E-Beam)焊接電阻銅合金制造,其中金屬合金電流傳感元件提供的熱EMF低至0.25 ;V / K和50的低TCR   PPM /度 C在20 ° C 攝氏度到60攝氏度 溫度范圍。
它們都具備SemtechLoRa器件的基本功能,包括遠距離、低功耗和低成本的端到端通信。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
新的AI固件功能包和攝像頭模塊硬件套件,讓嵌入式開發(fā)人員開發(fā)出可在基于STM32 *微控制器(MCU)的邊緣設(shè)備上運行的經(jīng)濟實惠且功能強大的計算機視覺應(yīng)用。
STM32Cube功能包FP-AI-VISION1包含幾個完整的計算機視覺應(yīng)用代碼示例,這些例程在STM32H747上運行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(CNN),并且可以在STM32全系列產(chǎn)品上輕松移植。
該固件提出了幾個應(yīng)用示例,開發(fā)人員可以用所選數(shù)據(jù)集重新訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),為解決各種用例問題提供更大的自由空間和靈活度。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續(xù)漏極電流: 24 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 59 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
系列: OptiMOS Fast Diode
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 24 S
下降時間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 3.6 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 19 ns
典型接通延遲時間: 8 ns
零件號別名: BSC670N25NSFD SP001107234
單位重量: 102.230 mg

全新的直流/直流電源是業(yè)界唯一一款2kW電信級電源,其優(yōu)點是具有無與倫比的靈活性,既可靈活提供大小不同的功率輸出,又可滿足電信業(yè)對輸入電源線規(guī)定的獨特要求。
該系列使用電子束(E-Beam)焊接電阻銅合金制造,其中金屬合金電流傳感元件提供的熱EMF低至0.25 ;V / K和50的低TCR   PPM /度 C在20 ° C 攝氏度到60攝氏度 溫度范圍。
它們都具備SemtechLoRa器件的基本功能,包括遠距離、低功耗和低成本的端到端通信。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點擊
- STM32H747上運行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(CNN
- 多功能和音頻數(shù)字濾波器(ADF)取代了調(diào)制數(shù)
- 并聯(lián)冗余模式(N+1)來提高系統(tǒng)的可靠性和可
- 950W峰值功率的700W/10.4V轉(zhuǎn)換器
- 10MS/s的采樣速度從四個輸入通道讀取數(shù)據(jù)
- 300kHz帶寬預(yù)設(shè)用于低于50A eff的
- REDCUBE壓接式端子的引腳插入電路板的電
- 多電平PAM4原邊恒流輸出調(diào)節(jié)和先進電源管理
- 恒壓/恒流(CV/CC)控制器從而省略了次級
- 184引腳模塊比用TSOP封裝的同樣容量的模
推薦技術(shù)資料
- MOSFET 電感單片降壓開關(guān)模式變換器優(yōu)勢
- SiC MOSFET 和 IG
- 新型 電隔離無芯線性霍爾效應(yīng)電
- 業(yè)界超小絕對位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- 高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術(shù)應(yīng)用探究
- MagAlpha 角度位置傳感
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究