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傳感器以輻射模式或差分/固定模式運行集成導(dǎo)體的電阻損耗

發(fā)布時間:2021/4/21 19:16:28 訪問次數(shù):255

YoleDéveloppement(Yole)將LiDAR視為實現(xiàn)汽車全自主化的一個關(guān)鍵組成部分,其功能必須達到2+及以上級別。

生產(chǎn)符合車規(guī)并具有足夠性能水平的傳感器,將成為汽車應(yīng)用大規(guī)模采用LiDAR的關(guān)鍵推動力,根據(jù)目前的趨勢,預(yù)計在2019年至2025(2)年之間的復(fù)合年增率為+144%。

附加功能根據(jù)應(yīng)用的不同,傳感器能夠選擇以輻射模式或差分/固定模式運行。

MLX91220的額定電壓為5V,而MLX91221的額定電壓為3.3V。

SOIC-8的標稱隔離電壓為2.4kVRMS,SOIC-16則為4.8kVRMS。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    250 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    25 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    50 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    29 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    125 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   25 S  

下降時間:   8 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   10 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   22 ns  

典型接通延遲時間:   10 ns  

零件號別名:  BSC600N25NS3 G SP000676402  

單位重量:  122.210 mg  

這些傳感器的集成導(dǎo)體的電阻損耗特別低:SOIC-8為0.9mΩ,SOIC-16則為0.75mΩ。根據(jù)差分測量原理,不需要對雜散場進行屏蔽。

通過結(jié)合內(nèi)部和外部監(jiān)控機制,確保優(yōu)化雙重片上過電流檢測。內(nèi)部OCD閾值的響應(yīng)時間僅為2μs,外部響應(yīng)時間為10μs。

無磁滯現(xiàn)象特殊的傳感器概念可捕獲集成的初級導(dǎo)體產(chǎn)生的磁場,從而省去鐵磁集中器,可實現(xiàn)更高密度的電力電子設(shè)備。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

YoleDéveloppement(Yole)將LiDAR視為實現(xiàn)汽車全自主化的一個關(guān)鍵組成部分,其功能必須達到2+及以上級別。

生產(chǎn)符合車規(guī)并具有足夠性能水平的傳感器,將成為汽車應(yīng)用大規(guī)模采用LiDAR的關(guān)鍵推動力,根據(jù)目前的趨勢,預(yù)計在2019年至2025(2)年之間的復(fù)合年增率為+144%。

附加功能根據(jù)應(yīng)用的不同,傳感器能夠選擇以輻射模式或差分/固定模式運行。

MLX91220的額定電壓為5V,而MLX91221的額定電壓為3.3V。

SOIC-8的標稱隔離電壓為2.4kVRMS,SOIC-16則為4.8kVRMS。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    250 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    25 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    50 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    29 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    125 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   25 S  

下降時間:   8 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時間:   10 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間:   22 ns  

典型接通延遲時間:   10 ns  

零件號別名:  BSC600N25NS3 G SP000676402  

單位重量:  122.210 mg  

這些傳感器的集成導(dǎo)體的電阻損耗特別低:SOIC-8為0.9mΩ,SOIC-16則為0.75mΩ。根據(jù)差分測量原理,不需要對雜散場進行屏蔽。

通過結(jié)合內(nèi)部和外部監(jiān)控機制,確保優(yōu)化雙重片上過電流檢測。內(nèi)部OCD閾值的響應(yīng)時間僅為2μs,外部響應(yīng)時間為10μs。

無磁滯現(xiàn)象特殊的傳感器概念可捕獲集成的初級導(dǎo)體產(chǎn)生的磁場,從而省去鐵磁集中器,可實現(xiàn)更高密度的電力電子設(shè)備。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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