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內(nèi)置ROHM最新的IGBT元件降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗

發(fā)布時(shí)間:2021/4/24 21:30:46 訪問次數(shù):834

Z-Trak2不僅安裝有護(hù)眼型紅色激光器,同時(shí)還針對(duì)材料的反射特性配備了一個(gè)藍(lán)色激光器。

Z-Trak的所有型號(hào)均享有Teledyne DALSA Sherlock 8的免費(fèi)許可——Sherlock 8是一款圖形化編程軟件,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的應(yīng)用開發(fā)。

對(duì)于單一3D輪廓傳感器的視野無法滿足要求的應(yīng)用場景,用戶可將多個(gè)Z-Trak2輪廓儀組合在一起使用。此方法適合同步檢驗(yàn)或?qū)ο笮枰邮?60°檢驗(yàn)的情形。

通過優(yōu)化內(nèi)置FRD的軟恢復(fù)性能和內(nèi)置IGBT,使輻射噪聲比普通產(chǎn)品低6dB以上(比較峰值時(shí))。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續(xù)漏極電流: 56 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 16 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 19 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 96 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 20 S

下降時(shí)間: 2.6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 3 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 10.8 ns

典型接通延遲時(shí)間: 9.6 ns

零件號(hào)別名: BSC160N15NS5 SP001181422

單位重量: 110 mg

新產(chǎn)品還新增了安裝在電路板上之后的產(chǎn)品識(shí)別功能,有助于防止誤裝。

ROHM將繼續(xù)擴(kuò)充本系列產(chǎn)品的陣容,同時(shí)推進(jìn)車載級(jí)產(chǎn)品的開發(fā),助力進(jìn)一步降低功耗和減少設(shè)計(jì)工時(shí),并為解決環(huán)境保護(hù)等社會(huì)問題貢獻(xiàn)力量。

其業(yè)內(nèi)出色的噪聲特性,使得削減以往所需的噪聲濾波器成為可能。

此外,通過內(nèi)置ROHM最新的IGBT元件,降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,與以往產(chǎn)品相比,功率損耗降低6%(fc=15kHz時(shí))。



(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

Z-Trak2不僅安裝有護(hù)眼型紅色激光器,同時(shí)還針對(duì)材料的反射特性配備了一個(gè)藍(lán)色激光器。

Z-Trak的所有型號(hào)均享有Teledyne DALSA Sherlock 8的免費(fèi)許可——Sherlock 8是一款圖形化編程軟件,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的應(yīng)用開發(fā)。

對(duì)于單一3D輪廓傳感器的視野無法滿足要求的應(yīng)用場景,用戶可將多個(gè)Z-Trak2輪廓儀組合在一起使用。此方法適合同步檢驗(yàn)或?qū)ο笮枰邮?60°檢驗(yàn)的情形。

通過優(yōu)化內(nèi)置FRD的軟恢復(fù)性能和內(nèi)置IGBT,使輻射噪聲比普通產(chǎn)品低6dB以上(比較峰值時(shí))。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續(xù)漏極電流: 56 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 16 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 19 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 96 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 20 S

下降時(shí)間: 2.6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 3 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 10.8 ns

典型接通延遲時(shí)間: 9.6 ns

零件號(hào)別名: BSC160N15NS5 SP001181422

單位重量: 110 mg

新產(chǎn)品還新增了安裝在電路板上之后的產(chǎn)品識(shí)別功能,有助于防止誤裝。

ROHM將繼續(xù)擴(kuò)充本系列產(chǎn)品的陣容,同時(shí)推進(jìn)車載級(jí)產(chǎn)品的開發(fā),助力進(jìn)一步降低功耗和減少設(shè)計(jì)工時(shí),并為解決環(huán)境保護(hù)等社會(huì)問題貢獻(xiàn)力量。

其業(yè)內(nèi)出色的噪聲特性,使得削減以往所需的噪聲濾波器成為可能。

此外,通過內(nèi)置ROHM最新的IGBT元件,降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,與以往產(chǎn)品相比,功率損耗降低6%(fc=15kHz時(shí))。



(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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